(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Rysunek 2.2. 1. Prosta geometria detektorai schemat procesu w którym wygenerowany zostałimpuls ładunku w materiale półprzewodnika [2].Budowę półprzewodnikowego detektora w najprostszej formie przedstawiarys. 2.2.1. W tym przypadku płytka detekcyjna z półprzewodnika ma szerokość od kilkumilimetrów do centymetra, a kontakty tworzą dwie metaliczne elektrody. Grubośćużywanego do produkcji detektorów półprzewodnika jest określana na podstawiestopnia detekcji padającego promieniowania i procesu efektywności zbioru ładunku.Oznacza to, że grubość płytki detekcyjnej jest uzależniona od: typu oddziaływania pomiędzy półprzewodnikowym ośrodkiema padającym promieniowaniem, gęstości materiału detekcyjnego, czasu życia nośników, dynamiki transportu ładunku.Przykładowo promieniowanie X oddziaływujące na związek HgI 2 ma energięrzędu dziesiątek keV, gdzie typowa głębokość absorpcji wynosi kilkadziesiątmikronów. Oznacza to, że grubość płytki detekcyjnej określa długość dryfu nośników,co jest istotnym parametrem określającym działanie spektrometrów promieniowania Xi gamma. Ogólnie długość dryftu nośników powinna być kilka razy większaniż odległość, którą nośniki muszą przejść by dotrzeć do elektrody. W praktyce grubośćdetektora stanowi 0,1 długości dryftu nośników w materiale.W materiale półprzewodnikowym padające promieniowanie możewygenerować pewną ilość par elektron-dziura. W związkach II-VI (CdTe, Cd(Zn)Tei (Cd,Mn)Te) energia wymagana do produkcji jednej pary elektron-dziura wynosiod 3 do 6 eV. Pary elektron – dziura kreowane są na dwa sposoby: bezpośredni - jeżeli padające promieniowanie stanowi naładowanecząsteczki takie jak np. elektrony, pośredni - kiedy to padające promieniowanie ulega pewnej liczbieprocesów wcześniej już omawianych.20