(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

More documents

Recommendations

Info

jaką jest napylanie na półizolujący materiał amorficznych wysoko domieszkowanychpółprzewodnikowych warstw kontaktowych.w postaci:Rozdział ten poświęcony został badaniom nad kontaktami elektrycznymichemicznie nanoszonej warstwy Au (z kwasu chlorozłotowego - AuCl 3 ) napowierzchnię półizolujących płytek (Cd,Mn)Te - „ chemical deposition”, monokrystalicznych i polikrystalicznych odpowiednio domieszkowanych‏,(‏CdTe:(In warstw ZnTe:(Sb) oraz amorficznych (lub nanokrystalicznych) silnie domieszkowanych‏ . CdTe:(In) półprzewodnikowych warstwy ZnTe:(Sb), ZnTe:(N) orazUkłady pomiarowe oraz aparatura wykorzystana do charakteryzacjiotrzymanych warstw została opisana w rozdziale 6.108
5.1. KONTAKTY Z „Au” DO PŁYTEK (Cd,Mn)TeMetoda nanoszenia kontaktu z użyciem roztworu kwasu AuCl 3 na (Cd,Mn)Testanowiła początek badań nad kontaktami. Opierając się na danych z literaturydotyczących tej metody, przeprowadzone zostały badania poprzez wykonaniecharakterystyk prądowo - napięciowych na monokrystalicznych płytkach (Cd,Mn)Tez naniesionymi kontaktami. Płytki (Cd,Mn)Te używane w tych doświadczeniach byłyzarówno nisko jak i wysokooporowe (od 10 3 - 10 9 Ωcm).Wykorzystane zostały dwie metody pomiaru z tak wykonanymi kontaktami: metoda dwu sondowa (dająca informacje o oporze materiału wraz z oporemkontaktów), metoda cztero sondowa (dająca rzetelną informacje o oporności właściwejmateriału bez wpływu oporu z kontaktów).Schematy obu metod zostały przedstawione w rozdziale 6.6. Ponieważ metodacztero sondowa dawała informację tylko o oporze właściwym materiału a nie wnosiłażadnych informacji o zjawiskach zachodzących na kontakcie (opór kontaktujest tu eliminowany) wyniki w postaci charakterystyk I-V z tej metody nie są tuumieszczane.W rozdziale 4.3 (i 2.4.3) opisane zostały procedury przygotowania podłożowychpłytek (Cd,Mn)Te do nanoszenia kontaktów elektrycznych. Głównym narzędziembadawczym w tym przypadku był elektrometr Kiethley 617 (opis i schematy pomiarówumieszczone są w rozdziale 6.6), za pomocą którego wykonywane były charakterystykiI-V. Płytki do wykonania tych prac były cięte na wymiar 3 x 2 x 12 mm 2 . Przy takichwymiarach kontakty były kładzione na brzegach jednej ze stron płytki lub naprzeciwnych stronach płytki. Nanoszenie roztworu AuCl 3 (1 g AuCl 3 rozpuszczone w25 g destylowanej wody) w postaci kropli o średnich wymiarach 1 x 1 mm odbywałosię przy użyciu cienkich pędzli. Następnie cała płytka była dokładnie płukanaw metanolu. Czas reakcji roztworu z powierzchnią płytki to około 20-30 s. Mechanizmreakcji chemicznych na powierzchni materiału z roztworem opisany został w rozdziale3.2. Nanoszenie roztworu kwasu chlorozłotowego przeprowadzane było w temperaturzepokojowej zarówno na stronie tellurowej ((111) B) jak i kadmowej ((111) A) próbek.Wykonane charakterystyki I-V na wyżej wymienionych płytkach przedstawionesą na rys. 5.1.1 - 5.1.8.109
Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 6 and 7:
1.1. CEL I STRESZCZENIE ROZPRAWYNin
Page 8 and 9:
Nowe pomysły na wykonanie kontakt
Page 10 and 11:
wewnętrzny efekt fotoelektryczny,
Page 12 and 13:
W półprzewodniku fotoelektron bę
Page 14 and 15:
ozprawy.odpowiednia szerokość prz
Page 16 and 17:
Rysunek 2.1.7. Zależność absorpc
Page 18 and 19:
Mimo, że detektory promieniowania
Page 20 and 21:
Rysunek 2.2. 1. Prosta geometria de
Page 22 and 23:
Parametry wymagane od materiałów
Page 24 and 25:
Iloczyn μτ jest bardzo istotnym p
Page 26 and 27:
Pomiędzy serią elektrod (dynod) p
Page 28 and 29:
Rysunek 2.2.2. Porównanie uzyskane
Page 30 and 31:
Rysunek 2.2.4. Kryształy do produk
Page 32 and 33:
2.3. MECHANIZM ZBIORU NOŚNIKÓW Ł
Page 34 and 35:
Sytuacja ta pozwala na przejście e
Page 36 and 37:
powierzchni (111) pomiędzy płaszc
Page 38 and 39:
Temperaturową zmianę szerokości
Page 40 and 41:
gdzie C solid oznacza skład molowy
Page 42 and 43:
Po stopieniu materiału źródłowe
Page 44 and 45:
Ze względu na materiał, o którym
Page 46 and 47:
Manipulując intencjonalnymi domies
Page 48 and 49:
Nr wytopuKryształy (Cd,Mn)Tekoncen
Page 50 and 51:
Związane jest to z polarnością k
Page 52 and 53:
W kolejnym kroku wkładamy ampułę
Page 54 and 55:
Obraz krawędzi płytki z licznymi
Page 56 and 57:
17. J. D. Eskin, „Current state-o
Page 58 and 59: 3. KONTAKTY ELEKTRYCZNEUzyskanie do
Page 60 and 61: Odpowiedni dobór metalu (pracy wyj
Page 62 and 63: Przykładowo dla CdTe typu p praca
Page 64 and 65: przypowierzchniowej półprzewodnik
Page 66 and 67: Cały proces odbywa się w warunkac
Page 68 and 69: W przypadku CdTe i (Cd,Zn)Te wielu
Page 70 and 71: Wszystkie metody opierają się na
Page 72 and 73: Prace [27-29] dokładnie opisują s
Page 74 and 75: W kwestii obniżenia LC autorzy pra
Page 76 and 77: BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 31. T. P
Page 78 and 79: 4. EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYC
Page 80 and 81: Temperatura źródła zależy od ty
Page 82 and 83: W dolnej części komory umieszczon
Page 84 and 85: Komora reakcyjna dodatkowo opatrzon
Page 86 and 87: Zakładając, że transport atomów
Page 88 and 89: 4.1. FIZYCZNE PODSTAWY WZROSTU WARS
Page 90 and 91: dysocjacja adsorbowanych molekuł;
Page 92 and 93: W przypadku elektronów o energii r
Page 94 and 95: Zależność opisującą prawdopodo
Page 96 and 97: Związane jest to z ewolucją mecha
Page 98 and 99: Płytki o grubości 2-3 mm poddawan
Page 100 and 101: Powierzchnia zbyt chropowata by wyk
Page 102 and 103: 4.4. STANDARDOWY PRZEBIEG PROCESÓW
Page 104 and 105: W przypadku monowarstw ZnTe:Sb oraz
Page 106 and 107: BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 41. Z. R
Page 110 and 111: Rysunek 5.1.1. Charakterystyka I-V
Page 113 and 114: 5.2. MONOKRYSTALICZNE WARSTWY JAKO
Page 115 and 116: W obszarze złącza monokrystaliczn
Page 117 and 118: Nr próbkiPodłożeWarstwaFWHM(arc
Page 119 and 120: Badania te na warstwach monokrystal
Page 121 and 122: Wykonane także zostały (metodą S
Page 123 and 124: 5.3. AMORFICZNE WARSTWY JAKO KONTAK
Page 125 and 126: Poziom energii Fermiego jest blisko
Page 127 and 128: Niezależnie przez którą z sond (
Page 129 and 130: Na rys. 5.3.4 B i 5.3.5 B widać li
Page 131 and 132: Pamiętać trzeba, że dla warstwy
Page 133 and 134: 5.3.1. OPTYMALIZACJA GRUBOŚCI WARS
Page 135 and 136: We wszystkich trzech przypadkach mo
Page 137 and 138: Jednak w naszej opinii powierzchnia
Page 139 and 140: Rysunek 5.3.1.6. Charakterystyki I-
Page 141 and 142: Jedyną istotną informacją jaką
Page 143 and 144: Na podstawie tych pomiarów można
Page 145 and 146: Po wyznaczeniu charakterystyk I-V z
Page 147 and 148: 5.3.4. PASYWACJA POWIERZCHNIDo wyko
Page 149 and 150: Pasywacja roztworem (NH 4 ) 2 SIII)
Page 151 and 152: 6. UKŁADY POMIAROWE WYKORZYSTANE D
Page 153 and 154: 6.3. POMIARY SKŁADU PIERWIATKOWEGO
Page 155 and 156: 6.4. POMIARY GRUBOŚCI WARSTW, ANAL
Page 157 and 158: Stała Halla (R H ) bezpośrednio w
Page 159 and 160:
Z powodu odpowiednio wysokich (~10
Page 161 and 162:
Rysunek 6.7.1. Schemat zasady dzia
Page 163 and 164:
Rysunek 6.7.2. A) Schemat ułożeni
Page 165 and 166:
7 WNIOSKI I PODSUMOWANIEBadania pod
Page 167 and 168:
Na podstawie badań przedstawionych
show all

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?