(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Rysunek 5.3.1.6. Charakterystyki I-V dla amorficznej warstwy kontaktowej Zn<strong>Te</strong>:N o grubości 35nm(pokryte w próżni Au) napylonej na podłoże wysokooporowe (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>. Zakresy na wykresach:A)100–800 V oraz B) 0–100 V.Ponieważ detektory z <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>, (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> pracują zwykle przy napięciu ~800 Vwykonane zostały również charakterystyki I-V (metodą 2 sondową) do „dużychnapięć”. W takim pomiarze właściwości obydwu kontaktów oraz jednorodnośćmateriału wpływają bezpośrednio na kształt charakterystyki. Charakterystykaz rys. 5.3.1.6 dotyczy warstwy kontaktowej Zn<strong>Te</strong>:N napylonej w na pół-izolacyjnemonokrystaliczne podłoże (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>:V w maszynie MBE prof. T. Wojtowicza.Wyniki charakterystyk (rys. 5.3.1.6) wykazują liniowy charakter w całymzakresie wysokich napięć dla 800 V ale także przy niskich napięciach od 0 – 100 V.Badanie to pozwala sądzić, iż na chwile obecną amorficzne warstwy kontaktowewydają się być najlepsze jako elektryczne kontakty do wysokooporowych płytek(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>.139
Change language