10.07.2015 Views

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

3.1. PROSTA TEORIA ZŁĄCZ M-SZłącza metal-półprzewodnik określane są skrótem m-s (metal-semiconductor).Charakter złącza m-s zależy od wartości pracy wyjścia elektronów z metalui półprzewodnika oraz od położeń energetycznych stanów powierzchniowychpółprzewodnika. Wyróżniamy dwa typy złącz metal-półprzewodnik. Złącza o liniowychcharakterystykach prądowo-napięciowych nazywamy kontaktami omowymi. Ich cechąsą niewielkie oporności niezależne od kierunku polaryzacji płynącego przez nie prądu.Złącza o nieliniowej charakterystyce nazywane są natomiast diodami Schottky’ego.Charakterystyczną cechą złącza prostującego jest to, że prąd przepływa znacznie łatwiejw jednym kierunku niż w drugim. Schottky tłumaczył to tym, że właściwości prostującezłącza wynikają z pojawienia się bariery potencjału w obszarze przypowierzchniowympółprzewodnika, która jest związana z obecnością ładunku przestrzennego w materiale[1].Prosty schemat złącza m-s zakłada, że w półprzewodniku nie występują stanypowierzchniowe. O charakterze kontaktu decyduje wówczas różnica prac wyjściaelektronów z metalu (Φ m ) i półprzewodnika (Φ s ). Najprostsza definicja pracy wyjściaelektronu mówi, że jest to praca jaką należy wykonać, aby przenieść elektron z poziomuFermiego do poziomu próżni.W praktyce często zdarza się (np. germanowe diody punktowe),że charakterystyka złącza jest prawie niezależna od pracy wyjścia elektronu z metalu.Jest to wynikiem istnienia na powierzchni półprzewodnika naturalnej barierypowierzchniowej. Zazwyczaj przyczyną jej powstania jest duża liczba elektronowychpoziomów energetycznych na powierzchni półprzewodnika (stanówpowierzchniowych). Większość z tych stanów jest obsadzonych elektronami, którepozostawiają w warstwie powierzchniowej ładunek dodatni związanyze zjonizowanymi donorami. Kiedy taki półprzewodnik łączy się z metalami o różnychpracach wyjścia, wtedy różne liczby elektronów z obsadzonych stanówpowierzchniowych przepływają do metalu i nie powoduje to zmiany bariery w obszarzeładunku przestrzennego przy powierzchni złącza [2].Możliwe są cztery przypadki zależności pomiędzy pracami wyjścia dla metalui półprzewodnika przy założeniu, że nie istnieją stany powierzchniowew półprzewodniku (tabela 3.1.1).59

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!