(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Przykładowo dla CdTe typu p praca wyjścia Φ s ~ 6 eV, więc żeby uzyskać kontaktomowy (przypadek II) musimy dobrać taki metal, którego praca wyjścia będzie większaod 6 eV. Jedynie platyna (Φ m ~5,6 eV) ma zbliżoną wartość Φ m , ale mniejszą niż jest towymagane by uzyskać omowe złącze.Przypadek III stanowi sytuację złącz z kryształami CdTe, (Cd,Zn)Te,a w szczególności (Cd,Mn)Te. Powszechnie stosowane metale mają odpowiedniewartości pracy wyjścia by stworzyć złącze prostujące (Φ m < Φ s ) z tymi materiałami.By otrzymać złącze omowe (sytuacja II) musiałby zostać spełniony warunek Φ m> Φ s , ale żaden metal nie osiąga wyższej wartości pracy wyjścia niż praca wyjścia dlatych związków. Dlatego też, podjęte zostały próby dopasowania innego typumateriałów jako kontaktów do kryształów (Cd,Mn)Te. Porównanie wartości pracwyjścia dla metali i związków II-VI zostało przedstawione w kolejnym podrozdziale.Rozważmy teraz przypadek złącz prostujących. Sytuację III dla półprzewodnikatypu p i metalu przy Φ m < Φ s przedstawia rys. 3.1.3.Rysunek 3.1.3. Wykres poziomów energetycznych prostującego kontaktu m-s, półprzewodnik typu p orazΦ m < Φ s (przypadek III); E C – poziom dna pasma przewodnictwa, E F – poziom Fermiego, E V – poziomwierzchołka pasma walencyjnego, χ s – powinowactwo elektronowe półprzewodnika, E S – różnica energiipomiędzy wierzchołkiem pasma walencyjnego w półprzewodniku i poziomem próżni, A) przedzetknięciem, B) po zetknięciu, [1].Przed zetknięciem materiałów poziom Fermiego w półprzewodniku znajdujesię poniżej poziomu Fermiego metalu, zaś różnica tych poziomów względem poziomupróżni wynosi Φ s – Φ m . Układ po zetknięciu będzie dążył do uzyskania równowagitermodynamicznej. Swobodne elektrony z metalu będą przepływać do półprzewodnikado momentu, gdy poziomy Fermiego wyrównają się. Powstała po stroniepółprzewodnika warstwa przypowierzchniowa zostaje naładowana ujemnie. Ładunekten jest związany ze zjonizowanymi akceptorami (które jako stany zlokalizowane,o pewnej gęstości, rozłożone są w głąb przestrzeni półprzewodnika).62