(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Podłoża do wzrostu z przedziału a-d (rys. 4.2.4) trawiono 5% roztworem bromuw metanolu, zaś podłoża z przedziału e-h trawiono w roztworzeHNO 3 :HF:CH 3 COOH:DI w stosunku 2:1:1:10. Użycie różnych roztworów trawiącychmiało na celu wskazać najlepszy, który eliminuje z powierzchni różne zanieczyszczeniai związki tlenu.Na podstawie oscylacji sygnału RHEED można określić szybkość wzrostuwarstw. Przykładowy schemat oscylacji sygnału RHEED i wzrost monowarstwprzedstawia rys. 4.2.5. Wzrost monokrystalicznych warstw w maszynie MBE często(na pewnym etapie) odbywa się w mechanizmie Franka-van der Merwe.Rysunek 4.2.4. Przykładoweobrazy RHEED warstwy CdTew różnym stadium wzrostu, napodłożu InSb (111). Próbkaz temperaturą podłoża ~ 230 °Cpo 15 min wzrostu (a-d) i próbkaz temperaturą podłoża ~ 230 °Cpo 15 min wzrostu (e-h). a) i e)obrazują strukturę powierzchnipodłoża przed wzrostem, b) i f)po procesie wygrzewaniapowierzchni, c) i g) pierwsze 30 swzrostu warstwy CdTe, d) i h)koniec procesu wzrostu warstwyo grubości 1250 Å; g) widocznelinie Kikuchi i plamkazwierciadlana odbita [5].Tego typu wzrost oraz przebieg obserwacji sygnału RHEED przedstawia rys.4.2.5. Mechanizm wzrostu tego typu powoduje periodyczne w czasie zmianyintensywności refleksów dyfrakcyjnych RHEED, a szczególnie plamki zwierciadlanejodbitej. Amplituda oscylacji podczas wzrostu w trakcie trwania procesu w maszynieMBE maleje w czasie.95