(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Nr wytopuKryształy (Cd,Mn)TekoncentracjaMn [%] wanadu [cm -1 ]Oporność właściwa ρ [Ωcm]Przed wygrzewaniemPo wygrzewaniu4527 5 3·10 16 10 6 4·10 94528 9 3·10 16 10 5 3·10 84551 5 2·10 17 10 5 -10 6 2·10 94550 5 3·10 16 5·10 5 2·10 84560 7 3·10 16 10 4 -10 5 10 8 -10 94561 5 3·10 16 10 6 -10 7 3·10 94632 5 6·10 15 10 4 -10 5 4·10 94640 5 5·10 14 4·10 5 10 74641 5 1·10 14 10 4 -10 5 6·10 74620 5 3·10 16 10 4 3·10 9Tabela 2.4.2.1. Wyniki badań nad opornością właściwą przed i po wygrzewaniu płytek (Cd,Mn)Te,przeprowadzone za pomocą aparatury EU-ρ-SCAN. Mapowany obszar płytek wynosił około 2,5x2,5cm.Wyniki zawarte w tabeli 2.4.2.1 dały nam informacje, że wanad jako domieszkakompensująca sprawdza się, czyli: po procesie wygrzewania wzrasta wartość oporności właściwej, płytki obserwowane za pomocą EU-ρ-SCANu mają jednorodny rozkład ρ.Jak już wcześniej wspomniano, wanad jest ciekawą domieszką nie tylko ze względu namożliwość pełnienia podwójnej funkcji podczas kompensacji, ale także ze względu nafakt, że nie segreguje się w materiale. Jednorodny rozkład w krysztale zbadany został zapomocą spektrometrii masowej (SIMS). Wyniki podane dla trzech różnych części:początku, środka i końca wytopu przedstawia rys. 2.4.2.3. Również pracaP. Christmanna [44] na temat segregacji wanadu w CdTe potwierdza te obserwacje.wierzchołek (początek) kryształu środek koniec kryształuRysunek 2.4.2.3. Rozkład wanadu w wytopie CdTe, obserwowany za pomocą metody SIMS (dodatektechnologiczny wanadu był na poziomie 1·10 17 cm -3 ).Podobny przegląd wykonany został dla domieszek takich jak Cl, Ti, Al, In.Problemem, który okazał się kluczowym jest segregacja tych pierwiastkóww kryształach (Cd,Mn)Te. Ich rozkład w materiale badany był zarówno metodą SIMSjak i EU-ρ-SCAN. Wyniki potwierdziły niejednorodny rozkład domieszeki nieodpowiednie wartości parametru oporności właściwej.48