(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Jako nieaktywna domieszka nie wpływa on na własności fizyczne kryształu. Poziomdonorowy wanadu leży trochę niżej niż akceptorowy, ale oba poziomy leżą bliskośrodka przerwy. Pozwala to jonowi wanadu efektywnie kompensować płytkie donoryalbo płytkie akceptory.Opierając się na literaturze [35-42] stworzony został schemat energetycznyzwiązku (Cd,Mn)Te zdomieszkowanego wanadem (rys. 2.4.2.2). Obrazuje onzachowanie się poziomu akceptorowego (wakansji kadmowych) w krysztale (Cd,Mn)Tepo procesie krystalizacji a następnie po procesie wygrzewania w nasyconych parach Cd.Rysunek 2.4.2.2. Schemat efektuwygrzewania w parach Cd przystosowaniudomieszkikompensującej w postaci wanadu.Wysoka koncentracja wakansjiCd (akceptorów) w (Cd,Mn)Teprzez odpowiednie wygrzewaniezostaje zredukowana na poziomrzędu 10 14 cm -3 [43].Jak wyraźnie widać koncentracja wakansji kadmowych z wartości 10 17 cm -3spadła na poziom ~10 14 cm -3 po procesie wygrzewania. Wnioskujemy to ze wzrostuoporności próbki. Odpowiednie wygrzewanie kryształu powoduje spadek ilościwakansji kadmowych, a co za tym idzie poprawę struktury kryształu i wzrost opornościwłaściwej. Wyniki te zostały potwierdzone doświadczalnie. Odpowiednioprzygotowane płytki zostały poddane analizie przed i po wygrzewaniu.Analiza polegała na mapowaniu oporności właściwej na dużych powierzchniachjednorodnych płytek (Cd,Mn)Te. Do tego celu wykorzystana została aparaturapomiarowa EU-ρ-SCAN, za pomocą której możemy bezkontaktowo mierzyć opornościwłaściwe materiału w zakresie od 10 5 Ωcm do 10 11 Ωcm. Sposób pomiaru oraz opissamej aparatury zawarty został w rozdziale 6.7. Wyniki zmiany oporności właściwej poprocesie wygrzewania zawiera tabela 2.4.2.1. Przedstawione w niej wartości opornościwłaściwej dotyczą jedynie kilku wytopów, gdzie stosowano domieszkę kompensacyjnąw postaci wanadu.47