(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

6.7 POMIARY OPORNOŚCI WŁAŚCIWEJ ORAZPARAMETRU μτ (EUρ-μτ-SCAN)Jedną z wielkości charakteryzujących materiał stosowany do detekcjipromieniowania X i gamma jest odpowiednio wysoka oporność właściwa . Jest toparametr zależny od rodzaju materiału ale także od warunków zewnętrznych takich jaktemperatura, pole magnetyczne czy na przykład światło.Metoda badania i schemat działania jest taki sam w obu użytych do badańaparaturach EUρ-SCAN i EUρ-μτ-SCAN. Jedynie EUρ-μτ-SCAN posiada dodatkowozainstalowany generator impulsów laserowych i odpowiednie oprogramowanie,co w całości umożliwia pomiar parametru μτ.Techniką, pozwalającą na bezkontaktowe badanie oporności właściwejmateriału jest pomiar ładunku w zależności od czasu (TDCM) - Time DependentCharge Measurement). Ten sposób pomiaru (nieniszczący powierzchnię badanegomateriału) opiera się na badaniu relaksacji pojemności kondensatora płaskiego zbadanym materiałem izolującym między okładkami [4-6].Dielektryczny czas relaksacji (stała czasowa Maxwella) może stanowić parametrcharakteryzujący jednorodny półprzewodnik. Czynnik ten zależny jest od typu danegomateriału i powiązany jest ze stałą dielektryczną , opornością właściwą oraz zprzenikalnością elektryczną próżni 0 . Można go przedstawić za pomocą wzoru (6.7.1).0M (6.7.1)Wzór ten można odnieść do opisu sytuacji gdy w jednorodnym półprzewodnikunastąpiło lokalne zakłócenie neutralności elektrycznej, które po pewnym czasiezaniknie. Dlatego też można zastosować w tej sytuacji równanie Poissona orazrównanie zachowania ładunku. W ostateczności na podstawie tych dwóch równańotrzymujemy zależność: t) (0)exp(t/ )(6.7.2)(Mgdzie τ M to wielkość zwana czasem relaksacji dielektrycznej lub stałą czasowąMaxwella [7]. Pomiar wielkości τ M można przeprowadzić umieszczając badany materiałpomiędzy okładkami płaskiego kondensatora, rys. 6.7.1 a.160