(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Rysunek 3.2.5 pokazuje jak zmieniają się proste przy zmianie temperatur wygrzewania.Widoczne jest (rys. 3.2.5), że jedynie charakterystyka I-V dla kontaktuniewygrzewanego (non-annealing) jest bliska omowości. Obniżanie temperaturywygrzewania z 300°C do 200°C daje większą możliwość dyfuzji jonów Au 3+ w obszarprzypowierzchniowy płytki i zajęcie nie obsadzonych przez Cd i Zn miejsc. Dlategoteż, tworzona jest większa liczba wakansji kationowych, co powoduje obniżenie barieryna interfejsie [6].Rysunek 3.2.5. Charakterystyki I-Vobrazujące efekty wygrzewań kontaktówelektrycznych naniesionych na podłożemetodą osadzania chemicznego z AuCl 3 .(●) wygrzewanie w 300°C, (○)wygrzewanie w 200°C, (■) kontakty bezwygrzewania [6].Kolejnym sposobem na zminimalizowanie LC jest pasywacja powierzchni. Jestona procesem chemiczno - fizycznym, który zabezpiecza powierzchnię przed korozją(wpływem środowiska zewnętrznego na utlenianie lub inne uszkodzenia powierzchni).W technologii pasywacji ważne jest odpowiednie przygotowanie powierzchni do reakcjitak, by miała ona minimalną ilość elektrycznie aktywnych defektów. Pasywacjaw przypadku płytek detekcyjnych z kryształów (Cd,Zn)Te jest skomplikowana. Mamydo czynienia z trójskładnikowym związkiem, gdzie każda ze składowych części mainne własności chemiczne oraz ma skłonność do tworzenia podczas procesu pasywacjiaktywnych elektrycznie defektów w obszarze interfejsu. W przypadku materiałówdo wysokiej jakości urządzeń (tj. płytki detekcyjne na detektory promieniowaniaX i gamma) niezbędne jest formowanie stałych oraz powtarzalnych, pasywowanychpowierzchni z dobrze kontrolowanymi własnościami elektrycznymi.Zaobserwowano, że utlenianie powierzchni poprzez „gotowanie” [24]w nadtlenku wodoru albo przez „bombardowanie” atomowe [25] może zredukowaćprąd upływu. Pasywacja powierzchni przez organiczne polimery również redukujeprądu upływu [27]. Stosowanych jest kilka o różnych stężeniach roztworów: Br-MeOH,NH 4 / H 2 O 2 , KOH, KOH / H 2 O 2 , (NH 4 ) 2 S.71