(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Niezależnie przez którą z sond (1→2’ czy 2→1’ zgodnie ze schematem 5.2.3 Cz rozdziału 5.2) najpierw wpuszczany był prąd (też przy zmianie polaryzacji) otrzymanoliniowe w całym zakresie charakterystyki I-V i takie same wartości oporu. Brakodchyleń na krzywych I-V pozwala na stwierdzenie, że dla takiego układu warstw (rys.5.3.3) nie można odróżnić czy przepływ elektronów przez warstwę typu n jest lepszyniż przez warstwę typu p i odwrotnie, gdy rozpatrujemy sytuację przepływu dziur.Nie widać różnic nawet przy pomiarach w zakresie małych napięć +/-2 V. <strong>Te</strong>go samegotypu doświadczenia przeprowadzone były jeszcze na kilku różnych płytkachz innych wytopów o podobnych parametrach oporności właściwej (10 8 - 10 9 Ωcm).W otrzymanych charakterystykach I-V z pomiarów 2 sondowych nie byłozauważalnych zmian.W celu zbadania własności fizycznych kontaktowych warstw amorficznychgłównie pod kątem ich oporów, wykonano pomiary I-V metodą trzy sondowąw temperaturze pokojowej. Rysunki 5.3.4 oraz 5.3.5 przedstawiają charakterystyki I-Vdla pomiarów dwu i trzy sondowych różnych próbek z amorficznymi kontaktamio grubości 1 μm (rys. 5.3.4 (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>/<strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In/Au i rys. 5.3.5(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>/Zn<strong>Te</strong>:Sb/Au). Szczegóły pomiarów trzy sondowych (rysunki układówpomiarowych) znajdują sie w rozdziale 6.6. W przypadku pomiaru trzy sondowego (rys.5.3.4 B i 5.3.5 B) pomiar napięcia stanowi sumę napięć na jednym kontakcie i kawałkukryształu do którego przylega kontakt. Ułożenie sond dzieli płytkę na 3 równe częścitzn. odległości pomiędzy sondami: 1 - 2, 2 - 3 i 3 - 4 są takie same. Uwzględniającgeometrię próbki i układ sond oraz mierząc zmiany w wartościach oporu na danychodcinkach próbki możemy dostać informacje o wkładzie oporu kolejno każdegoz kontaktów w stosunku do całkowitego mierzonego oporu.W układzie pomiarowym cztero sondowym (gdy zczytujemy napięcie pomiędzysondami 2 i 3 omijając wkład oporu z tych kontaktów) można puszczając prąd przezpłytkę zczytywać napięcia odpowiednio z sond 1 - 2, 1 - 3 dla pomiarów trzysondowych i 1-4 w pomiarze dwu sondowym (jak na schematach w górnych rogach rys.5.3.4 i 5.3.5). Uzyskane na podstawie charakterystyk I-V opory pomiędzy odcinakami1 - 2 oraz 2 - 3 i 3-4 powinny być takie same a w układzie sond 1-3 opór powinien być2 razy większy (a w układzie 1 - 4 trzy razy większy). Taki układ oporów (w pomiarachprzy różnej polaryzacji) daje nam odpowiedz na temat charakteru kontaktu.127