(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Wszystkie metody opierają się na odpowiednim przygotowaniu powierzchni podkontakt elektryczny. Metodami tymi są: wygrzewanie powierzchni, pasywacja powierzchni, szlifowanie, trawienie, polerowanie powierzchni.W zastosowaniach praktycznych stosuje się kombinacje wymienionych metod.Stosowaną powszechnie metodą jest wygrzewanie powierzchni przed i ponałożeniu kontaktu. Metodę wygrzewania materiału ((<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>/Au) już z naniesionymkontaktem opracował X. Wang [22]. Istotnym faktem w jego badaniach byłoprzygotowanie powierzchni poprzez serię trawień w roztworze bromu. W rezultacie,wygrzewając płytki (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>/Au przez t=2 h w 60 °C na powietrzu uzyskał prawieomowy kontakt (rys. 3.2.4). Taki rezultat można wytłumaczyć przez zjawisko dyfuzji.Podczas procesu wygrzewania atomy Au przemieszczają się i wchodzą w miejsca <strong>Cd</strong>lub w miejsca wakansji <strong>Cd</strong> (luk <strong>Cd</strong>) w (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>. Tworzy się mocno domieszkowanawarstwa p+ w (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>. S. Mergui [12] uważa, że aby uzyskać ten sam efekt należywygrzewać (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>/Au w powietrzu, w próżni lub w atmosferze wodoru. WedługT. Ozaki [23] w przypadku <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>/Au należy wygrzewać w temperaturach 200-300 °Cw próżni. Z kolei K. Chattopadhyay [13] proponuje wygrzewanie w próżni związku(<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>/Au, gdzie proces wygrzewania trwa 10 h w 200 °C. Proces ten daje dobreprawie omowe kontakty i eliminuje LC. Niezależnie od metody nanoszenia metalu (Au)na powierzchnię <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>, czy (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> każdy z tych procesów wygrzewania powinienpoprawić stan powierzchni i zredukować prądy upływu.Rysunek 3.2.4. Charakterystyki I-V dla płytek(<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> z kontaktami w formie napylonegoAu (DC plasma sputtering) poddanymiróżnym czasom wygrzewańw atmosferze powietrza w temp. 333 K.Krzywe I-V wskazują na zmiany oporubadanego materiału poprzez procesywygrzewań (eliminacja LC) [22].W pracy [6] testowano kontakty na wysokooporowych (opory rzędu 10 8 - 10 9 Ω)płytkach (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> z chemicznie osadzanym Au. Pokazano, że niekiedy wygrzewaniemoże pogorszyć liniowość I-V charakterystyk.70
Change language