(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
4.3. PRZYGOTOWANIE PODŁOŻA DO NANOSZENIAWARSTW KONTAKTOWYCHMateriałem stanowiącym podłoża do epitaksji (lub napylania) warstwkontaktowych są monokrystaliczne płytki (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>. Do procesów wzrostu i napylaniakorzystano zarówno z wysokooporowych (10 7 – 10 10 Ωcm), jak i niskooporowych(10 2 – 10 6 Ωcm) monokrystalicznych płytek. Na tym etapie prac płytki były testowanepod kątem jednorodności oporności właściwej przy użyciu aparatu EU-ρ-SCAN.Uzyskane mapy oporności dają informacje o oporności właściwej skanowanego obszarupłytki, a tym samym jego jednorodności. Do pomiarów w tym aparacie płytkisą szlifowane (proszkiem o granulacie 4,5 μm) i trawione 9% roztworem bromuw metanolu. Przykładowe mapy oporności badanych płytek (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> wysoko i niskooporowych pokazuje rys. 4.3.1.A) B)C) D)Rysunek 4.3.1. Mapy wykonane aparatem EU-ρ-SCAN: A) wytop nr 4580 <strong>Cd</strong> 0.95 <strong>Mn</strong> 0.05 <strong>Te</strong>:V (4·10 17cm 3 ), obszar skanowania 10 x 10 mm, wartości oporności właściwej ρ ≈ 5·10 9 Ωcm - 8·10 9 Ωcm; B)wytop nr 4579 (<strong>Cd</strong> 0.95 <strong>Mn</strong> 0.05 <strong>Te</strong>:V (2·10 17 cm -3 ), obszar skanowania 6,4 x 6,4 mm, wartości opornościwłaściwej ρ ≈ 4·10 9 Ωcm - 5·10 9 Ωcm; C) wytop nr 4716 <strong>Cd</strong> 0.93 <strong>Mn</strong> 0.07 <strong>Te</strong>:V (V=3·10 16 cm -3 ), obszarskanowania 5 x 5 mm, wartości oporności właściwej ρ ≈ 5·10 5 Ωcm - 6·10 5 Ωcm; D) wytop nr 4806(<strong>Cd</strong> 0.91 <strong>Mn</strong> 0.09 <strong>Te</strong>:Cl (1·10 16 cm -3 ), obszar skanowania 4,4 x 4,4 mm, wartości oporności właściwejρ ≈ 4·10 5 Ωcm - 7·10 5 Ωcm.97
Change language