Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

1.2 Aufbau der Arbeit 9
scheidung von STA mit einem mono-molekularen Prekursor und wie mit der damit verbundenen
Einschränkungen ein Prozessfenster gefunden werden konnte.
Das 5. Kapitel widmet sich der Charakterisierung der BST Schichten auf Platinsubstrat. Dieses
System stellt den Schwerpunkt dieser Arbeit dar und wurde im Hinblick auf die mögliche
Anwendung als DRAM, ’tunable device’ oder Entkopplungskondensator behandelt. Ausgehend
vom Platinsubstrat werden die Keimbildung und das Wachstum mit verschiedenen, zum
Teil neuartigen Analysemethoden untersucht und anschließend diskutiert. Hier werden verschiedene
Einflussmöglichkeiten auf die Entwicklung von Mikrostruktur und Morphologie
und die Beziehung zu den erreichten elektrischen Eigenschaften beschrieben. Es wird gezeigt,
dass eine quantitative Diskussion der relevanten elektrischen Eigenschaften, effektive dielektrische
Konstanten und Leckströme, nur für ganze Serien von Schichten verschiedener
Dicke sinnvoll ist.
Ergänzend dazu erfolgt im 6. Kapitel eine Bewertung der BST/STO Schichten auf Siliziumsubstrat
für mögliche Gate-Anwendungen. In diesem Kapitel wird speziell auch das Wachstum
der amorphen SiOx Schicht diskutiert, die sich während des Wachstums im Silizium unter
dem STO bildet und die Kapazität erheblich reduziert.
Im 7. Kapitel werden die Eigenschaften der STA Filme auf verschiedenen Substraten untersucht,
neben Platinsubstrate sind dies TiNx- und Siliziumsubstrate. Die Ergebnisse für amorphe
und ex-situ nachkristallisierte Schichten werden miteinander verglichen.
Abschließend werden in 8. Kapitel die Oxide der Metalle der IV. Nebengruppe (TiO2, ZrO2
und HfO2) vorgestellt. Neben der strukturellen Charakterisierung werden auch erste elektrische
Messungen an MIS Strukturen gezeigt.
Abschließend werden die Ergebnisse in Kap. 9 nochmals zusammengefasst.