Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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22 2 Grundlagen<br />
Dieser Kontaktwinkel kann bei flüssigen Tröpfchen auch direkt beobachtet werden. θ => 0<br />
entspricht dem Übergang vom Inselwachstum zum Lagenwachstum.<br />
2.2.3 MOCVD Technologie<br />
Abbildung 2.9: Schematische<br />
Darstellung der unterschiedlichen<br />
Wachstumsmodi: (a) Schichtwachstum<br />
oder zweidimensionales Wachstum<br />
und (b) Inselwachstum, bzw.<br />
dreidimensionales Wachstum auf<br />
dem Substrat.<br />
Die Umsetzung der MOCVD Technologie lässt sich im Wesentlichen in drei Blöcke einteilen<br />
(siehe Abbildung 2.10). Dies ist die Bereitstellung der gasförmigen Metall-Organischen Substanzen,<br />
die Abscheidung auf dem Substrat im Reaktor und das Auffangen nichtreagierter<br />
Lösungsmittel- und Prekursorenreste. Auf Grund von Konzentrationsgradienten kommt es im<br />
Reaktor zur Diffusion der Prekursoren an die Substratoberfläche. Ein Teil der Prekursormoleküle<br />
adsorbiert und zersetzt sich auf der heißen Oberfläche. Im Optimalfall werden nur die<br />
gewünschten Atome in die bereits bestehende Schicht eingebaut. Das restliche Material verbleibt<br />
in der Gasphase oder desorbiert von der Oberfläche und wird mit dem Trägergasstrom<br />
entfernt.<br />
Abbildung 2.10: Schematische Darstellung der drei Bereiche beim MOCVD [38].
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