Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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8.1 TiO2 149<br />
(a) (b)<br />
Abbildung 8.3: 3D-Darstellung der Topographie von TiO2 Schichten auf Siliziumsubstrat:<br />
(a) amorphe Schicht, Tdep = 400°C, Dicke =14nm und<br />
(b) kristalline Schicht, Tdep = 700°C, Dicke =16nm<br />
RMS [nm]<br />
2,5<br />
2,0<br />
1,5<br />
1,0<br />
0,5<br />
0,0<br />
TiO 2 /Si<br />
TiO 2 /Pt<br />
400 500 600 700 800<br />
Suszeptortemperatur [°C]<br />
8.1.2 Elektrische Eigenschaften<br />
Abbildung 8.4: Abhängigkeit<br />
der Rauhigkeit der TiO2 Schichten<br />
von der Abscheidtemperatur<br />
für Wachstum auf Silizium- und<br />
Platinoberflächen. Die Schichtdicke<br />
liegt im Bereich zwischen<br />
10 und 20nm.<br />
Die hier betrachteten Kondensatorstrukturen haben folgenden Aufbau: Pt/TiO2/SiOx/p-<br />
Si(100)/(Ga-In). Dabei wurde die Grundelektrode über eine GaIn-Legierung mit der Messspitze<br />
verbunden. Die Proben wurden grundsätzlich vor dem Aufbringen der Elektroden (lift<br />
off) für 10min bei 400°C unter Stickstoff getempert und nach dem Elektrodensputtern weitere<br />
10min unter gleichen Bedigungen nochmals angelassen. In Abbildung 8.5 werden die C-V<br />
Charakteristiken verschieden dicker TiO2 Schichten, die bei 500°C abgeschieden wurden,<br />
zusammengefasst. Die Charakteristiken zeigen ohne zusätzliche Temperaturbehandlung einen<br />
kleinen Höcker, der nach zusätzlicher Temperbehandlung bei höherer Temperatur verschwindet,<br />
und eine sehr kleine Hysterese. Die Flachbandspannung liegt bei 0,2 Volt.
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