26.10.2012 Aufrufe

Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

90 5 Schichteigenschaften - 1: (Ba,Sr)TiO3 (BST) auf Platin<br />

Trotz der dabei etwas geringeren Auflösung in der Topographie, erkennt man gewisse Korrelationen<br />

zwischen den beiden Abbildungen. Ähnlich zu Abbildung 5.4b sind bereits große<br />

Bereiche des Substrats bedeckt. Die hohe Leitfähigkeit und damit schlechte Bedeckung wird<br />

in den glatten Bereichen auf größeren Körnern beobachtet. Dies kann damit erklärt werden,<br />

dass bei einer angenommen Diffusionslänge in der Größenordnung der Platinkörner die Atome<br />

gerade die Korngrenze erreichen, sodass die Schicht von den Korngrenzen aus nach innen<br />

wächst. Dabei scheint es nicht wichtig wie hoch oder wie niedrig die Körner absolut liegen,<br />

entscheidend ist vielmehr die relative Höhe des Korns gegenüber den umgebenden Korngrenzen.<br />

Ab einer nominellen Dicke von 1,5nm können die Filme als geschlossen angesehen werden,<br />

und die Leitfähigkeit zeigt bis auf einzelne Platinkörner die weiterhin herausstechen keinen<br />

Kontrast mehr (siehe Abbildung 5.6a). Durch eine Erhöhung der Spannung an der Spitze ist<br />

es jedoch gelungen, Platinkörner, die unterhalb der STO Schicht liegen, sichtbar zu machen,<br />

Abb. 5.6 b-d. Die einzelnen Spannungen sind 0,5V in (a), 0,8V in (b), 1,3V in (c) und 2,0V in<br />

(d). Bei der niedrigsten Spannung sind praktisch keine Strukturen zu erkennen, da fast die<br />

ganze Oberfläche bedeckt ist. Erst bei 2V tritt die Kornstruktur des Platins wieder hervor, was<br />

verständlich ist, da eine Spannungserhöhung auch den Tunnelstrom vergrößert. Dieser ist<br />

nach Gleichung 5.2 im Wesentlichen von der Potentialbarriere durch die Oxidschichtdicke W<br />

und der Spannung U abhängig.<br />

−d<br />

W −U<br />

D ∝ e<br />

5.2<br />

Somit zeigt diese Aufnahmeserie, dass auch bei dünnen geschlossenen Schichten die Homogenität<br />

der Schicht noch sehr empfindlich nachgewiesen werden kann.<br />

(a) (b) (c) (d)<br />

(e)<br />

Abbildung 5.6: Spannungsabhängigkeit der Oberflächenleitfähigkeitsmessung<br />

einer 1,5nm dicken STO Schicht. Der<br />

Maßstab beträgt 2µm x 2µm. Die Spannung wurde von 0,5V in<br />

Abb. a auf 0,8V in b, 1,3V in c und 2,0V in d gesteigert. Im<br />

Vergleich dazu die Topographie, Abb. e, die sich bei allen<br />

Aufnahmen nicht verändert hat.<br />

Dieses sehr glatte Schichtwachstum konnte auch durch HRTEM bestätigt werden. In Abbildung<br />

5.7 wird ein 1,5nm dicker BST Film in Seitenansicht gezeigt, der bei 655°C aufgewachsen<br />

wurde. Um diese dünne Schicht zu stabilisieren, den Kontrast zu erhöhen und ein kristallines<br />

Gegenüber bereitzustellen, musste die Schicht mit Platin bedeckt werden. Das BST befindet<br />

sich in einem etwa 2nm dicken Bereich zwischen diesen beiden Schichten. Einzelne<br />

Stellen weisen auf kristalline Strukturen hin (siehe Pfeile im Bild). Über die Orientierung des<br />

Gitters und die Werte des Gitterabstandes kann man schlussfolgern, dass es sich hierbei tatsächlich<br />

um kristallines BST handelt.

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!