Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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90 5 Schichteigenschaften - 1: (Ba,Sr)TiO3 (BST) auf Platin<br />
Trotz der dabei etwas geringeren Auflösung in der Topographie, erkennt man gewisse Korrelationen<br />
zwischen den beiden Abbildungen. Ähnlich zu Abbildung 5.4b sind bereits große<br />
Bereiche des Substrats bedeckt. Die hohe Leitfähigkeit und damit schlechte Bedeckung wird<br />
in den glatten Bereichen auf größeren Körnern beobachtet. Dies kann damit erklärt werden,<br />
dass bei einer angenommen Diffusionslänge in der Größenordnung der Platinkörner die Atome<br />
gerade die Korngrenze erreichen, sodass die Schicht von den Korngrenzen aus nach innen<br />
wächst. Dabei scheint es nicht wichtig wie hoch oder wie niedrig die Körner absolut liegen,<br />
entscheidend ist vielmehr die relative Höhe des Korns gegenüber den umgebenden Korngrenzen.<br />
Ab einer nominellen Dicke von 1,5nm können die Filme als geschlossen angesehen werden,<br />
und die Leitfähigkeit zeigt bis auf einzelne Platinkörner die weiterhin herausstechen keinen<br />
Kontrast mehr (siehe Abbildung 5.6a). Durch eine Erhöhung der Spannung an der Spitze ist<br />
es jedoch gelungen, Platinkörner, die unterhalb der STO Schicht liegen, sichtbar zu machen,<br />
Abb. 5.6 b-d. Die einzelnen Spannungen sind 0,5V in (a), 0,8V in (b), 1,3V in (c) und 2,0V in<br />
(d). Bei der niedrigsten Spannung sind praktisch keine Strukturen zu erkennen, da fast die<br />
ganze Oberfläche bedeckt ist. Erst bei 2V tritt die Kornstruktur des Platins wieder hervor, was<br />
verständlich ist, da eine Spannungserhöhung auch den Tunnelstrom vergrößert. Dieser ist<br />
nach Gleichung 5.2 im Wesentlichen von der Potentialbarriere durch die Oxidschichtdicke W<br />
und der Spannung U abhängig.<br />
−d<br />
W −U<br />
D ∝ e<br />
5.2<br />
Somit zeigt diese Aufnahmeserie, dass auch bei dünnen geschlossenen Schichten die Homogenität<br />
der Schicht noch sehr empfindlich nachgewiesen werden kann.<br />
(a) (b) (c) (d)<br />
(e)<br />
Abbildung 5.6: Spannungsabhängigkeit der Oberflächenleitfähigkeitsmessung<br />
einer 1,5nm dicken STO Schicht. Der<br />
Maßstab beträgt 2µm x 2µm. Die Spannung wurde von 0,5V in<br />
Abb. a auf 0,8V in b, 1,3V in c und 2,0V in d gesteigert. Im<br />
Vergleich dazu die Topographie, Abb. e, die sich bei allen<br />
Aufnahmen nicht verändert hat.<br />
Dieses sehr glatte Schichtwachstum konnte auch durch HRTEM bestätigt werden. In Abbildung<br />
5.7 wird ein 1,5nm dicker BST Film in Seitenansicht gezeigt, der bei 655°C aufgewachsen<br />
wurde. Um diese dünne Schicht zu stabilisieren, den Kontrast zu erhöhen und ein kristallines<br />
Gegenüber bereitzustellen, musste die Schicht mit Platin bedeckt werden. Das BST befindet<br />
sich in einem etwa 2nm dicken Bereich zwischen diesen beiden Schichten. Einzelne<br />
Stellen weisen auf kristalline Strukturen hin (siehe Pfeile im Bild). Über die Orientierung des<br />
Gitters und die Werte des Gitterabstandes kann man schlussfolgern, dass es sich hierbei tatsächlich<br />
um kristallines BST handelt.