Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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152 8 Schichteigenschaften - 4: Oxide der Gr.-IVb Metalle<br />
8.2.2 Elektrische Eigenschaften<br />
Die C-V Charakteristiken verschieden dicker ZrO2 Schichten sind in Abbildung 8.9 gezeigt.<br />
Die Schichten wurden bei 550°C abgeschieden und anschließend bei 400°C für 10min angelassen.<br />
Nach der Deposition der Platinelektroden wurden sie nochmals für 10min bei 400°C<br />
getempert. Für die beiden dünnsten Schichten erfolgte dies in Formiergas und für die dickeren<br />
in N2. Man erkennt, dass nach dem Formiergastempern der Höcker in der C-V Kurve verschwindet<br />
und auch die Hysterese reduziert ist. Damit können sehr glatte und steile Anstiege<br />
erreicht werden.<br />
Kapazität [pF]<br />
1000 ZrO 2 /SiO x /Si<br />
800<br />
600<br />
400<br />
200<br />
0<br />
1.92 nm<br />
4.1 nm<br />
7.4 nm<br />
11 nm<br />
-2 -1 0 1 2<br />
Vorspannung [V]<br />
EOT [nm]<br />
6 ZrO 2 /SiO x /Si<br />
5<br />
4<br />
3<br />
2<br />
1<br />
ε B =22<br />
0<br />
0 2 4 6 8 10 12<br />
Dicke [nm]<br />
Abbildung 8.9: C-V Charakteristiken von ZrO2 Schichten verschiedener Dicke. Die beiden<br />
dünneren Schichten wurden nach der Elektrodendeposition in Formiergas bei 400°C angelassen.<br />
Auf der rechten Seite ist die aus der Kapazität in Akkumulationsbereich bestimmte<br />
EOT als Funktion der Schichtdicke dargestellt.<br />
Auf der rechten Seite sind die EOT Werte als Funktion der Schichtdicke aufgetragen. Die aus<br />
der Steigung berechnete Permittivität des massiven ZrO2 ergibt sich zu εB = 22, was in Übereinstimmung<br />
mit den Literaturwerten ist [148]. Der Achsenabschnitt ergibt eine Dicke von ~<br />
2nm, was sich auch hier auf die SiOx Grenzschicht zurückführen lässt. Diese Grenzschicht<br />
begrenzt somit die Kapazitätswerte bei dünnen Schichten. Abbildung 8.10 zeigt das Leckstromverhalten<br />
der Schichten aus Abbildung 8.9. Die für die Oxidschicht charakteristischen<br />
Ströme im Akkumulationsbereich sind sehr niedrig. Allerdings beobachten wir einen steilen<br />
Anstieg für die dünnste Schicht.<br />
J [A/cm 2<br />
]<br />
0,01<br />
1E-4<br />
1E-6<br />
1E-8<br />
1E-10<br />
1 ZrO 2 /SiO x /Si<br />
-2 -1 0 1 2<br />
Spannung [V]<br />
1.92 nm<br />
4.1 nm<br />
7.4 nm<br />
11 nm<br />
Abbildung 8.10: Leckstromverhalten<br />
der in Abb. 8.9 gezeigten<br />
ZrO2 Schichten verschiedener<br />
Dicke.