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Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

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152 8 Schichteigenschaften - 4: Oxide der Gr.-IVb Metalle<br />

8.2.2 Elektrische Eigenschaften<br />

Die C-V Charakteristiken verschieden dicker ZrO2 Schichten sind in Abbildung 8.9 gezeigt.<br />

Die Schichten wurden bei 550°C abgeschieden und anschließend bei 400°C für 10min angelassen.<br />

Nach der Deposition der Platinelektroden wurden sie nochmals für 10min bei 400°C<br />

getempert. Für die beiden dünnsten Schichten erfolgte dies in Formiergas und für die dickeren<br />

in N2. Man erkennt, dass nach dem Formiergastempern der Höcker in der C-V Kurve verschwindet<br />

und auch die Hysterese reduziert ist. Damit können sehr glatte und steile Anstiege<br />

erreicht werden.<br />

Kapazität [pF]<br />

1000 ZrO 2 /SiO x /Si<br />

800<br />

600<br />

400<br />

200<br />

0<br />

1.92 nm<br />

4.1 nm<br />

7.4 nm<br />

11 nm<br />

-2 -1 0 1 2<br />

Vorspannung [V]<br />

EOT [nm]<br />

6 ZrO 2 /SiO x /Si<br />

5<br />

4<br />

3<br />

2<br />

1<br />

ε B =22<br />

0<br />

0 2 4 6 8 10 12<br />

Dicke [nm]<br />

Abbildung 8.9: C-V Charakteristiken von ZrO2 Schichten verschiedener Dicke. Die beiden<br />

dünneren Schichten wurden nach der Elektrodendeposition in Formiergas bei 400°C angelassen.<br />

Auf der rechten Seite ist die aus der Kapazität in Akkumulationsbereich bestimmte<br />

EOT als Funktion der Schichtdicke dargestellt.<br />

Auf der rechten Seite sind die EOT Werte als Funktion der Schichtdicke aufgetragen. Die aus<br />

der Steigung berechnete Permittivität des massiven ZrO2 ergibt sich zu εB = 22, was in Übereinstimmung<br />

mit den Literaturwerten ist [148]. Der Achsenabschnitt ergibt eine Dicke von ~<br />

2nm, was sich auch hier auf die SiOx Grenzschicht zurückführen lässt. Diese Grenzschicht<br />

begrenzt somit die Kapazitätswerte bei dünnen Schichten. Abbildung 8.10 zeigt das Leckstromverhalten<br />

der Schichten aus Abbildung 8.9. Die für die Oxidschicht charakteristischen<br />

Ströme im Akkumulationsbereich sind sehr niedrig. Allerdings beobachten wir einen steilen<br />

Anstieg für die dünnste Schicht.<br />

J [A/cm 2<br />

]<br />

0,01<br />

1E-4<br />

1E-6<br />

1E-8<br />

1E-10<br />

1 ZrO 2 /SiO x /Si<br />

-2 -1 0 1 2<br />

Spannung [V]<br />

1.92 nm<br />

4.1 nm<br />

7.4 nm<br />

11 nm<br />

Abbildung 8.10: Leckstromverhalten<br />

der in Abb. 8.9 gezeigten<br />

ZrO2 Schichten verschiedener<br />

Dicke.

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