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Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

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20 2 Grundlagen<br />

Die Auftreffrate R mit der Atome oder Moleküle die Oberfläche berühren ist in erster Linie<br />

abhängig vom Dampfdruck p0 auf der Substratoberfläche. Weitere Parameter sind die molare<br />

Masse m und die Gastemperatur TG.<br />

R ~<br />

p<br />

2πmk<br />

0<br />

BTG<br />

Innerhalb weniger Gitterschwingungen gibt das Atom seine kinetische Energie an das Kristallgitter<br />

ab und findet in dieser Zeit auch ein lokales Minimum auf der Potentialenergieoberfläche<br />

des Festkörpers. Dieser Vorgang dauert einige Gitterschwingungen. Die Frequenz da-<br />

12 13<br />

für beträgt ν0 = 10 − 10 Hz . Typische Adsorptionsenergien liegen bei Ead < 1eV. Die Adatome<br />

sind zwar an die Substratoberfläche gebunden, können sich aber auf der Oberfläche bewegen.<br />

Die hierzu benötigte Energie beziehen sie aus dem Phononenspektrum des Festkörpers.<br />

Die Frequenz mit der diese Diffusionsereignisse stattfinden, siehe Gleichung 2.4, ist<br />

daher abhängig von ν0, der Aktivierungsenergie EA zur Überwindung der Potentialberge und<br />

TS die Substrattemperatur.<br />

−E<br />

A /( kBTS<br />

) −1<br />

νd = ν0 ⋅ e [ s ]<br />

Um hier eine Größenordnung anzugeben, bei einer Substrattemperatur von 600K und einem<br />

EA von 0,2V ist die Diffusionsfrequenz vD = 10 11 Hz, bzw. τD = 10 -11 s. Eine unkorrelierte Abfolge<br />

von Sprüngen von einem Minimum der Potentialenergieoberfläche zu einem Nachbarminimum<br />

bildet die Oberflächendiffusion, die auch als Random Walk bezeichnet wird. Ein<br />

wesentlicher Parameter der Diffusionskonstanten D ist daher die Gitterkonstante a, siehe<br />

Gleichung 2.5.<br />

−EA<br />

/( kBTS<br />

) 2<br />

D = a v e [ m s<br />

2 −1<br />

0<br />

]<br />

Die Strecke, l, welche das Teilchen in der Zeit τ zurücklegt wird durch die Einsteinbeziehung,<br />

2.6 beschrieben.<br />

l = D ⋅τ<br />

[m]<br />

2.6<br />

Der letzte atomistische Elementprozess beschreibt die Loslösung von Adatomen, die sogenannte<br />

Desorption. Wie bei der Oberflächendiffusion muss dafür aus dem thermischen Reservoir<br />

des Festkörpers die sogenannte Desorptionsenergie Edes aufgebracht werden. Diese entspricht<br />

genau der Adsorptionsenergie Ead. Desorptionsereignisse treten mit einer Frequenz aus<br />

Gleichung 2.7 auf.<br />

−Edes<br />

/( kBTS<br />

) −1<br />

νdes = ν0 ⋅ e [ s ]<br />

Die Desorptionsfrequenz ist stark von der Temperatur abhängig und spielt i.A. erst bei höheren<br />

Temperaturen eine Rolle. Bei geringen Substrattemperaturen verbleiben alle Adatome auf<br />

der Oberfläche und führen so lange Diffusionsbewegungen durch, bis sich zwei oder mehrere<br />

Teilchen treffen und einen sogenannten Keim bilden. Die deponierte Gesamtmaterialmenge<br />

wächst linear an.<br />

Schichtwachstum bedeutet, das System befindet sich im dynamischen Ungleichgewicht, das<br />

heißt es müssen mehr Adsorptionsprozesse als Desorptionsprozesse erfolgen und dies erreicht<br />

man durch Erhöhung des Dampfdrucks p0 über den Sättigungsdampfdruck. Ein Teil der adsorbierten<br />

Atome bildet Keime. Diese können allerdings immer noch durch Freisetzung von<br />

einzelnen Atomen aus dem Mehrteilchenverband zerfallen. Es muss erst eine bestimmte<br />

Keimgröße (kritischer Keim) überschritten werden, welche jenen Schwellenwert für die Grö-<br />

2.3<br />

2.4<br />

2.5<br />

2.7

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