Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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20 2 Grundlagen<br />
Die Auftreffrate R mit der Atome oder Moleküle die Oberfläche berühren ist in erster Linie<br />
abhängig vom Dampfdruck p0 auf der Substratoberfläche. Weitere Parameter sind die molare<br />
Masse m und die Gastemperatur TG.<br />
R ~<br />
p<br />
2πmk<br />
0<br />
BTG<br />
Innerhalb weniger Gitterschwingungen gibt das Atom seine kinetische Energie an das Kristallgitter<br />
ab und findet in dieser Zeit auch ein lokales Minimum auf der Potentialenergieoberfläche<br />
des Festkörpers. Dieser Vorgang dauert einige Gitterschwingungen. Die Frequenz da-<br />
12 13<br />
für beträgt ν0 = 10 − 10 Hz . Typische Adsorptionsenergien liegen bei Ead < 1eV. Die Adatome<br />
sind zwar an die Substratoberfläche gebunden, können sich aber auf der Oberfläche bewegen.<br />
Die hierzu benötigte Energie beziehen sie aus dem Phononenspektrum des Festkörpers.<br />
Die Frequenz mit der diese Diffusionsereignisse stattfinden, siehe Gleichung 2.4, ist<br />
daher abhängig von ν0, der Aktivierungsenergie EA zur Überwindung der Potentialberge und<br />
TS die Substrattemperatur.<br />
−E<br />
A /( kBTS<br />
) −1<br />
νd = ν0 ⋅ e [ s ]<br />
Um hier eine Größenordnung anzugeben, bei einer Substrattemperatur von 600K und einem<br />
EA von 0,2V ist die Diffusionsfrequenz vD = 10 11 Hz, bzw. τD = 10 -11 s. Eine unkorrelierte Abfolge<br />
von Sprüngen von einem Minimum der Potentialenergieoberfläche zu einem Nachbarminimum<br />
bildet die Oberflächendiffusion, die auch als Random Walk bezeichnet wird. Ein<br />
wesentlicher Parameter der Diffusionskonstanten D ist daher die Gitterkonstante a, siehe<br />
Gleichung 2.5.<br />
−EA<br />
/( kBTS<br />
) 2<br />
D = a v e [ m s<br />
2 −1<br />
0<br />
]<br />
Die Strecke, l, welche das Teilchen in der Zeit τ zurücklegt wird durch die Einsteinbeziehung,<br />
2.6 beschrieben.<br />
l = D ⋅τ<br />
[m]<br />
2.6<br />
Der letzte atomistische Elementprozess beschreibt die Loslösung von Adatomen, die sogenannte<br />
Desorption. Wie bei der Oberflächendiffusion muss dafür aus dem thermischen Reservoir<br />
des Festkörpers die sogenannte Desorptionsenergie Edes aufgebracht werden. Diese entspricht<br />
genau der Adsorptionsenergie Ead. Desorptionsereignisse treten mit einer Frequenz aus<br />
Gleichung 2.7 auf.<br />
−Edes<br />
/( kBTS<br />
) −1<br />
νdes = ν0 ⋅ e [ s ]<br />
Die Desorptionsfrequenz ist stark von der Temperatur abhängig und spielt i.A. erst bei höheren<br />
Temperaturen eine Rolle. Bei geringen Substrattemperaturen verbleiben alle Adatome auf<br />
der Oberfläche und führen so lange Diffusionsbewegungen durch, bis sich zwei oder mehrere<br />
Teilchen treffen und einen sogenannten Keim bilden. Die deponierte Gesamtmaterialmenge<br />
wächst linear an.<br />
Schichtwachstum bedeutet, das System befindet sich im dynamischen Ungleichgewicht, das<br />
heißt es müssen mehr Adsorptionsprozesse als Desorptionsprozesse erfolgen und dies erreicht<br />
man durch Erhöhung des Dampfdrucks p0 über den Sättigungsdampfdruck. Ein Teil der adsorbierten<br />
Atome bildet Keime. Diese können allerdings immer noch durch Freisetzung von<br />
einzelnen Atomen aus dem Mehrteilchenverband zerfallen. Es muss erst eine bestimmte<br />
Keimgröße (kritischer Keim) überschritten werden, welche jenen Schwellenwert für die Grö-<br />
2.3<br />
2.4<br />
2.5<br />
2.7