Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich
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7.2 Elektrische Eigenschaften 139<br />
In Abbildung 7.9 werden die Ergebnisse in einer Darstellung ~1/C gegenüber der Schichtdicke<br />
zusammengefasst. Bei den amorphen Proben liefert die Extrapolation der Ausgleichsgeraden<br />
auf eine Dicke von 0nm keinen Hinweis auf einen ‚dead layer’. Die Streuung der Werte<br />
um die Ausgleichsgerade ist aber relativ groß, was einen Unsicherheitsbereich offen lässt und<br />
auch den relativ großen Fehler für εB erklärt. Dabei fällt auf, dass die höchsten Werte der DK<br />
für dünnere Schichten (10 – 30nm) gefunden werden. Diese Proben haben eine effektive relative<br />
Dielektrizitätszahl εr bis 45, während insgesamt ein Mittelwert von 35 angegeben werden<br />
kann.<br />
A/C [m²/F]<br />
300<br />
200<br />
100<br />
Amorph<br />
Kristallin<br />
0<br />
0 50 100<br />
Dicke [nm]<br />
Abbildung 7.9: Inverse<br />
Kapazitätswerte gegenüber<br />
der Filmdicke für<br />
amorphe und kristalline<br />
Schichten.<br />
Bei den kristallinen Proben ergibt die Ausgleichsgerade einen Wert von εi/ti = 10 ± 10. Jedoch<br />
kann der Wert nur mit großem Fehler angegeben werden und es bleibt unsicher, ob überhaupt<br />
eine vom Bulk unterschiedliche Grenzschicht gefunden werden konnte. Die hier bestimmten<br />
Werte liegen am unteren Rand der Werte, die für BST gemessen wurden. Die Steigung der<br />
Geraden für die kristallinen Schichten, worüber die DK des massiven Materials bestimmt<br />
wird, lässt sich dagegen mit einem geringen Fehler von ± 5% angeben. Die aus dem Diagramm<br />
entnommenen Werte für die DK des massiven Materials und für die Grenzschichtkapazität<br />
sind in Tab.7.2 zusammengestellt.<br />
STA Sr / Ta εB (bulk) εi / ti [nm -1 ] EOT(i) [nm]<br />
Amorph 0,44 – 0,57 36 ± 4 0 0<br />
Kristallin 0,44 – 0,57 108 ± 5 10 ± 10 0,39 ± 0,39<br />
Tabelle 7.2: Werte der aus Abb. 7.8 separierten Bulk- und Interfacekapazität.<br />
b) Leckstrom<br />
Abbildung 7.10 zeigt charakteristische I-V Kurven für eine 48nm dicke amorphe Schicht und<br />
eine 30nm dicke kristalline Schicht. Das Leckstromverhalten der amorphen und der kristallinen<br />
Probe unterscheidet sich deutlich voneinander. Die amorphe Probe erreicht Werte unter<br />
10 -8 A/cm² bei angelegten 2500kV/cm, während die kristallisierte Probe diesen Wert schon bei<br />
500kV/cm überschritten hat. Zudem zeigt die kristalline Schicht asymmetrisches Verhalten<br />
und vereinzelnd Sprünge. Um die Nachvollziehbarkeit zu gewähren, wurden mehrere Leckstromzyklen<br />
durchfahren. Die amorphen Proben zeigen sehr gute Übereinstimmung zwischen<br />
den verschiedenen Zyklen. Bei den kristallinen Proben beobachten wir, dass die anfänglich<br />
verschiedenen Steigungen im ersten Zyklus auf dem rechten Ast durch weitere Zyklen geglättet<br />
werden konnten. Die Asymmetrie bleibt aber im Wesentlichen erhalten. Dieses Verhalten<br />
entspricht qualitativ den Beobachtungen mit den BST Schichten (siehe 5. Kapitel).