Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

9.1 Zusammenfassung und Ausblick 159
Kapazitätsdichte bzw. eine Verringerung des Leckstromes. Hier besteht noch weiteres Optimierungspotential,
insbesondere dann, wenn in diese Betrachtungen noch weitere Materialien
miteinbezogen werden.
Das zweite für die technische Anwendung wichtige Problemfeld betrifft die Konformalität der
Abscheidung. Während die Schichten sehr gut kontrolliertes Wachstum mit glatten Oberflächen
zeigen und die erwartet hohen Werte für die DK erreichen, wird innerhalb der hier benutzten
Prozessfenster keine konforme Abscheidung erreicht. Bessere Konformalität wird mit
den benutzten Prekursoren bei deutlich tieferen Abscheidtemperaturen erreicht. Hier bieten
sich ‚Zweistufenprozesse’ mit Abscheidung bei tiefer Temperatur und nachträglichem thermischen
Anlassen an.
Als Alternative zum BST für Anwendungen bei denen die Spannungsabhängigkeit der DK
(Tunability) nicht erwünscht ist, wurde STA untersucht. Die elektrischen Eigenschaften der
amorphen Schichten sind viel versprechend, sowohl für Anwendungen in MIM als auch in
MIS Kondensatoren. Für MIM Kondensatoren mit Platinelektroden ergibt sich eine verschwindend
kleine Abhängigkeit der Kapazität von der Vorspannung (Tunabilty < 0,001%).
Die Werte für die DK liegen im Bereich von 35 - 40 und sind bemerkenswert unabhängig von
Abweichungen der Stöchiometrie. Jedoch steigt der Verlustwinkel von den niedrigen Werten
(tanδ ~ 0,001) bei Sr/Ts ~ 0,5 mit höherer Tantalkonzentration (Sr/Ta < 0,4) stark an. Die
Leckströme liegen für Felder