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Metallorganisch chemische ... - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

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4.2 Prekursortest: M-(O-Pri)2(tbaoac)2 75<br />

4.2 Prekursortest: M-(O-Pr i )2(tbaoac)2<br />

In einem gemeinsamen Projekt mit dem Institut von Prof. Fischer von der Rur-Uni in Bochum<br />

wurden neue Prekursoren für die Gruppe IVb Metalle getestet. Eine genauere Beschreibung<br />

der Prekursoren erfolgte bereits in Kapitel 3.1.1. Hier sollen nur die Ergebnisse der Optimierung<br />

der Schichtherstellung vorgestellt werden. In der nachfolgenden Tabelle sind die Prozessparameter<br />

zur Herstellung von TiO2 aufgelistet, die mit dem TRIJET Verdampfer durchgeführt<br />

wurden. Die Herstellung von ZrO2 und HfO2 erfolgte mit geringfügig abweichenden<br />

Werten.<br />

Prozessparameter Für die Herstellung von TiO2<br />

TRIJET<br />

Verdampfertemperatur 240°C<br />

Trägergasfluss 1000sccm<br />

Pulslänge 0.8ms<br />

Zeitspanne zwischen den Pulsen 0,16s<br />

Reaktor<br />

Suszeptortemperatur 350° – 750°C<br />

Ceilingtemperatur 140° – 250°C<br />

Prozess Druck 1mbar<br />

Sauerstoffflussrate 200sccm<br />

Lachgasflussrate 0sccm<br />

Summe Argonfluss 1440sccm<br />

Suszeptorrotation 8 U/min<br />

Satellitenrotation 40sccm<br />

Tabelle 4.3: Prozessparameter, die zur Herstellung von TiO2 verwendet wurden.<br />

4.2.1 TiO2, ZrO2, HfO2<br />

Die ersten Versuche beschäftigen sich mit der Abscheidung von TiO2, um die Vergleichbarkeit<br />

des Prekursors zum bereits bekannten Ti(O-iPr)2(thd)2 zu zeigen. In Abbildung 4.13 wurde<br />

die Effizienz gegenüber der Wachstumstemperatur aufgetragen. Dabei erkennt man deutlich,<br />

wie sich die Wachstumstemperatur um ca. 150° nach unten verschiebt. Dieser Prekursor<br />

verspricht gute Resultate ab 400°C. Zwischen 450 und 550°C liegt ein temperaturunabhängiger<br />

Bereich vor und oberhalb von 600°C nimmt die Wachstumsrate infolge von<br />

Dekomposition und Reaktionen in der Gasphase des Prekursors wieder ab. Die XRD Ergebnisse<br />

zeigen, dass der Übergang von amorphen zu kristallinen Schichten ebenfalls zu niedrigeren<br />

Temperaturen verschoben ist: Er liegt hier zwischen 450° und 500°C und beim thd-<br />

Prekursor zwischen 500°C und 550°C.

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