Materiali e Tecnologie per la realizzazione di sostituti - FedOA ...
Materiali e Tecnologie per la realizzazione di sostituti - FedOA ...
Materiali e Tecnologie per la realizzazione di sostituti - FedOA ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
MATERIALI, METODI E STRUMENTAZIONE - 97<br />
campi magnetici presenti all’interno <strong>di</strong> bobine (scan coils) <strong>per</strong>corse da correnti<br />
alimentate da un generatore (scan generator ).<br />
Il fascio <strong>di</strong> elettroni giunge al<strong>la</strong> su<strong>per</strong>ficie del campione dove si verificano dei<br />
fenomeni <strong>di</strong> interazione tra elettroni e materia che è possibile <strong>di</strong>stinguere nel<br />
modo seguente:<br />
1) Back Scattering : gli elettroni del fascio incidente sono deviati a seguito<br />
dell’interazione elettrostatica tra <strong>la</strong> propria carica negativa e <strong>la</strong> carica positiva<br />
dei nuclei atomici degli strati su<strong>per</strong>ficiali del provino. Si verifica una sorta <strong>di</strong><br />
urto e<strong>la</strong>stico che produce una deflessione dell’elettrone <strong>la</strong> cui entità <strong>di</strong>pende<br />
dal<strong>la</strong> composizione puntuale del campione.<br />
2) Emissioni secondarie: gli elettroni del fascio incidente in alcuni casi<br />
possono interagire con gli elettroni appartenenti agli orbitali più esterni dei<br />
singoli atomi del<strong>la</strong> su<strong>per</strong>ficie del provino. In tal caso le interazioni<br />
elettrostatiche tra cariche dello stesso segno producono un urto <strong>di</strong> natura<br />
ane<strong>la</strong>stica producendo elettroni <strong>di</strong> tipo secondario.<br />
3) Emissioni <strong>di</strong> raggi X: Quando un elettrone, a seguito del precedente<br />
meccanismo <strong>di</strong> interazione, viene rimosso dal proprio livello energetico, un<br />
elettrone, appartenente ad un livello energetico più esterno dello stesso<br />
atomo, prende il suo posto emettendo un fotone appartenente al campo dei<br />
raggi X.<br />
Tali emissioni, così <strong>di</strong>verse, vengono rilevate da opportuni sensori che<br />
trasferiscono i segnali, debitamente convertiti, ad un monitor CRT.<br />
L’immagine rilevata è costituita da tanti “spot” luminosi <strong>la</strong> cui intensità è legata<br />
all’intensità delle emissioni; in partico<strong>la</strong>re <strong>la</strong> presenza <strong>di</strong> zone più chiare è dovuta<br />
alle emissioni re<strong>la</strong>tive ad elementi <strong>di</strong> numero atomico più elevato e quin<strong>di</strong> in<br />
grado <strong>di</strong> emettere più elettroni, mentre le zone più scure sono riferite ad<br />
emissioni re<strong>la</strong>tive ad elementi con numero atomico più basso. Un parametro<br />
fondamentale nel<strong>la</strong> valutazione <strong>di</strong> una micrografia SEM è l’ingran<strong>di</strong>mento<br />
definito come rapporto <strong>di</strong> sca<strong>la</strong> tra <strong>la</strong> <strong>di</strong>mensione dell’elemento <strong>di</strong> su<strong>per</strong>ficie<br />
scansionata b e <strong>la</strong> <strong>di</strong>mensione L del corrispondente tratto visualizzato sul<br />
monitor:<br />
E’ evidente che, al crescere dell’ingran<strong>di</strong>mento, e <strong>per</strong>tanto al <strong>di</strong>minuire del tratto<br />
b del provino lungo cui avviene <strong>la</strong> scansione, aumentano le interazioni tra il fascio<br />
<strong>di</strong> elettroni ed il campione in quanto gli elettroni interagiscono su porzioni <strong>di</strong><br />
su<strong>per</strong>ficie sempre più ridotte, il che comporta una <strong>di</strong>fficoltà crescente nel<strong>la</strong> messa<br />
a fuoco dell’immagine.