etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

Chapitre III : Etude expérimentale des effets non stationnairesNe pouvant effectuer la méthode de révélation chimique sur les extensions à cause du dopage trop faible,les résultats de la simulations du procédé de fabrication avec les mêmes paramètres que ceux qui ontdonné de bons résultats pour les diodes simples sont utilisés. Les résultats obtenus sont cependant assezfortement différents de l’expérience pour les petits dispositifs, comme le montre la Figure III-35. En effet,aux incertitudes des diodes simples s’ajoute l’incertitude sur le procédé d’implantation. En reprenant lescalculs de dispersion des diodes simples, l’erreur sur le calcul du courant est d’environ 10%. Or commeles courants à comparer présentent un écart de l’ordre de 20%, les résultats obtenus et les conclusions quipeuvent en être tirées ne peuvent être fiables.7.2. Analyse des diodes asymétriquesL’analyse précédente a montré les limites d'une telle étude lorsqu’il est nécessaire de connaîtreprécisément les doses implantées et la géométrie. Pour limiter dans une certaine mesure l'effet desincertitudes des techniques de fabrication, des diodes asymétriques ont été fabriquées, comme illustré surla Figure III- 41. Pour obtenir cette asymétrie, des implantations d’arsenic avec un angle de 40 degré, pourles doses 5x10 12 , 1x10 13 , 5x10 13 , 2x10 14 at/cm 2 ont été intégrées au procédé, comme illustré sur la FigureIII- 42.Figure III- 41: Illustration des diodes avec dopages desextensions asymétriquesFigure III- 42: Dopage de la structure asymétrique sur la diode de60nm.Pour étudier les diodes asymétriques, les ratios R ASYM entre les courants source vers drain (DS) et drainvers source (SD) sont calculés avec:RModelASYMIIDSDS( V( VDS= 1V)= 1V)Model= III- 5La valeur de ce ratio est moins soumis aux incertitudes du procédé de fabrication. En effet, commeprécédemment, le courant sur les petites diodes peut être modélisé par :SDModelDS- 104 -