etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

Chapitre IV : Modélisation analytique du transport quasi balistique3.2.3. Modélisation des résistances d’accèsPour les générations de transistor à grande longueur de grille, l’influence des résistances d’accès estnégligeable sur la tension aux bornes du canal. Aujourd’hui, la résistance du canal tend à devenir dumême ordre de grandeur que les résistances d’accès. Par conséquent, lorsqu’une tension drain estappliquée, la tension chute de tension effective dans le canal intrinsèque est plus faible. L’analyse dutransport dans les dispositifs courts doit donc être accompagnée d’une étude précise des résistancesd’accès. Pour la génération du nœud 45 nm la chute de tension aux bornes du canal est d’environ 10%[26]. Les résistances d’accès ont donc une influence directe sur le transport. Pour calculer cesrésistances d’accès, le modèle de Kim [27] [28] est repris. Les principes des calculs vont êtreexpliqués sans les détailles car ceux-ci sont très long. Le lecteur intéressé se reportera auxpublications. Dans ce modèle, Kim, calcul 4 résistances (Figure IV- 12) : Résistance de contact :Rconρc⎡ L= coth⎢LT⎣ LconT⎤⎥⎦IV- 11Où L con est la longueur effective du contact, L T la longueur de contact de transfert et ρ c larésistance contact déterminée par la concentration de dopants à l’interface et la hauteur debarrière du contact Schottky. Résistance des sources et drain : Intégration en 2D de la résistance basée sur l’équation IV-12 qui dépend du profil de dopage et de la profondeur de la jonction et des siliciures. Cetterésistance est composée de 2 résistances, une en profondeur et une autre en surface liée aucontact.Rsource / drain=∫ µ1( source / drain) qN( source / drain)IV- 12 Résistance des extensions : À partir du calcul des lignes de courant, par détermination deszones de charges espaces, Kim intègre, sur la zone où circule le courant, les différentesrésistances en fonction du dopage et des longueurs caractéristiques. Les calculs sont basés surIV- 12. Résistance chevauchement : En considérant séparément les régions en accumulation et lesrégions contenant peu de porteurs, Kim calcule la résistance de chevauchement en intégrantdes petites résistance dr sur la surface des extensions parcourues par le courant.Une fois toutes les composantes calculées, il suffit de les mettre en parallèle et/ou en série suivant leurdisposition. La résistance globale est ainsi obtenue. En reproduisant la méthodologie de Kim, desrésultats identiques sont obtenus, comme illustré sur la Figure IV- 13. Par la suite, il sera supposé queles résistances à la source et au drain sont identiques et que le courant n’influe pas sur les résistancesd’accès.- 138 -