etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

Chapitre IV : Modélisation analytique du transport quasi balistique10Probabilité d'avoir une interaction (%)9VGS=0.4V VGS=1V VGS=0.8V VGS=0.6V8765432100 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9Vds (Volts)Figure IV- 70: Illustration du calcul de la probabilité ded’obtenir des porteurs ayant subit une interaction etseulement une seule dans le canal.Figure IV- 71: Probabilité d’avoir des porteurs ayant subitune et seulement une interaction pour différentespolarisations de grille V GS et de drain V DS sur le MOSFETn°2.Cette modélisation permet de représenter assez fidèlement la valeur de N(1), en prenant les N(0) de lasimulation Monte Carlo, comme illustrée sur la Figure IV- 71. A partir de N(0) on obtient donc et N(1). Cela peut paraître surprenant car plusieurs configurations peuvent donner le même N(0) sansles mêmes et N(1). Cependant ceux-ci seront assez proches. Ces calculs donnent un bon ordred’idée sur les valeurs N(0), N(1) et . Ils n’ont pas vocation à donner des résultats précis mais plusdes tendances et une aide à la compréhension.Par ailleurs, à partir de l’équation IV- 96, il apparaît une probabilité de porteurs balistiques limite oùl’on passe d’un régime quasi-balistiques, fort à un régime quasi-balistique faible.Si l’on calcul N(1)/N(0) on a:N(1)= −0.318× ln( N(0 ))IV- 97N(0 )Cette courbe est illustrée sur la Figure IV- 72. Pour N(0) supérieur à 4.3 % environ, le transport estdans le régime quasi-balistique fort et pour les N(0)= − ln NLes résultats sont illustrés sur la Figure IV- 73.chbal= L) × ln N( Lchch))bal( Lch)IV- 98- 170 -