etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

Chapitre III : Etude expérimentale des effets non stationnairesFigure III-78: α NSE et α BAL fonction du champ source drain pour plusieurs valeurs de mobilité. Lorsque les courbes coupe ladroite Y=1, on obtient le champ caractéristique de changement de régime.Pour mieux représenter les changements de régime de transport les courbes ( V L ) α 1( V L ) α 1µ ch BALµ ch NSEDS = etDS = ont été tracées sur la Figure III-79: Ce graphe permet de situer le régime detransport. En effet, en fonction du champ source drain E SD déterminé avec la tension de saturation et de lamobilité µ du dispositif étudié, le point obtenu dans l’aire [E SD ,µ] permet de définir le régime detransport : Si le point est à gauche de la courbe noire ( V L ) α 1µ ch NSEDS = , alors le dispositif fonctionnedans un régime stationnaire. Le modèle le plus pertinent à utiliser est alors le modèle DériveDiffusion.Si le point est entre la courbe noire et la courbe rouge, alors le dispositif fonctionne en régime nonstationnaire, mais pas encore dans le régime quasi-balistique. Dans ce cas, les modèles hydrodynamiquessont pertinents. Cependant, il faut les utiliser avec précaution, en connaissance de cause, notamment surles approximations mises en jeu. Si le point est à droite de la courbe rouge ( V L ) α 1µ ch BALDS = , alors le MOSFET fonctionne enrégime quasi-balistique. Dans ce cas il est nécessaire de modéliser le fonctionnement du transistoravec les simulateurs Monte Carlo.- 126 -