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etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

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Chapitre I : Intro<strong>du</strong>ction au <strong>transport</strong> électroniquediscriminer facilement les contributions de chacune des interactions en terme de mobilité. Afin demanipuler la mobilité plus facilement, il est possible de simplifier les calculs pour obtenir la règle deMathiessen. C<strong>et</strong>te règle comporte un certains nombres d’approximations, elles vont être détaillées cidessous.Le rappel sur les fréquences d’interaction a montré que les fréquences d’interaction pouvaient sem<strong>et</strong>trent sous la forme suivante :f0[ / k T ] Sτ ( ε ) = τ εI- 79où τ 0 est une constante <strong>et</strong> s la puissance de l’énergie liée à l’interaction . En utilisant I- 79 avec I- 73,le temps de relaxation moyen devient [10] :Γ( 5 / 2 + s)τ f = τ oI- 80Γ 5 / 2BL( )Où Γ est la fonction Gamma utilisée habituellement en mathématique. En considérant plusieursinteractions (dans le calcul τ 1 <strong>et</strong> τ 2 ), d’après I- 78 <strong>et</strong> I- 67 <strong>et</strong> si l’on suppose que τ 1 <strong>et</strong> τ 2 peuvent sem<strong>et</strong>tre sous la forme I- 80 <strong>et</strong> qu’ils possèdent la même dépendance en énergie (ie s 1 =s 2 ) alors :( S + 5 / 2)Γ( 5 / 2)q ⎡ τ 01τ02⎤ Γ1µ = ⎢ ⎥<strong>et</strong> doncm ⎣τ01 + τ 02 ⎦µ1µ11+µ= I- 81D’après les calculs précédents, la loi de Mathiessen est valable lorsque les interactions sontindépendantes les une des autres <strong>et</strong> que leur dépendance en énergie est identique, ce qui n'estgénéralement pas le cas ! Malgré ces approximations délicates, c<strong>et</strong>te règle est utilisée couramment carelle est très pratique <strong>et</strong> efficace. Ainsi, à partir de c<strong>et</strong>te loi de Mathiessen, en sommant toutes lescontributions à la mobilité : phonons, impur<strong>et</strong>és <strong>et</strong> rugosité de surface, on obtient les courbes demobilité dans le canal <strong>du</strong> MOSFET en fonction <strong>du</strong> champ effectif de confinement (Figure I-29) <strong>et</strong> dela température (Figure I-30). Toutes les composantes sont largement détaillées dans les guidesd’utilisations des simulateurs[36] :2Figure I-29 : Illustration de la dépendance <strong>du</strong> champnormal sur la mobilité de la couche d’inversion [10]Figure I-30 : Mobilité des électrons en fonctions de ladensité d’impur<strong>et</strong>és donneuses pour différentes températures.[37]- 36 -

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