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etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

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Chapitre II : Les différents niveaux de la modélisationDans le cas où les interactions sont élastiques ou isotropes <strong>et</strong> en supposant la maxwellienne déplacée, lepremier terme de collision symétrique est nul <strong>et</strong> le terme de collision s’écrit:∂f∂tcoll∂fS=∂tcoll∂f+∂tAcoll∂f≈∂tAcollf=τAfII- 19Utilisant l’approximation <strong>du</strong> temps de relaxation <strong>et</strong> en approximant f à sa composante symétrique,l’équation de <strong>transport</strong> de Boltzmann 1D en régime permanent peut s’écrire :∂f∂f− vzτ f+ qEzτf= fAII- 20∂z∂pEn supposant que f est une maxwellienne déplacée, donc en intégrant f A avec la vitesse on obtient [1] :Jnz⎛ k ∂nk ∂TC( ) ⎟ ⎞ TC∂µn ∂ ln µ n= qµ n⎜nE+ TC+ n 1 + ν n où ν n = =II- 21⎝ q ∂zq ∂z⎠ µ n ∂TC∂ ln TCoù le flux est calculé comme précédemment avec le terme asymétrique :FW( nµT )2⎛ k ∂ n C⎞= −( 5 / 2 + s)⎜⎟µ nnEkT+II- 22⎝ q ∂z⎠Où ν n est considéré comme un terme de calibrage.Dans c<strong>et</strong>te approche, les approximations sont les suivantes : Approximation RTA : interactions élastiques <strong>et</strong> isotropes : équations II- 18 <strong>et</strong> II- 19. Expression <strong>du</strong> temps de relaxation dépendant de l’énergie dans II- 21. La partie asymétrique est supposée négligeable devant f 0 dans II- 20. f est une maxwellienne déplacée (pour le calcul des dérivées de f) dans II- 21.La différence principale entre les deux modèles est que dans l’approche de Stratton le terme de mobilitéest basé sur la RTA tandis que dans l’approche de Bløtekjaer, la mobilité est basée sur la méthode <strong>du</strong>moment. Le calcul des mobilités est différent Ainsi, dans l’équation de conservation <strong>du</strong> flux, la mobilitéde Stratton est à l’intérieur <strong>du</strong> gradient représentatif de la diffusion tandis que la mobilité de Bløtekjaer estdevant le gradient. L’analyse de ces différences est largement expliqués dans [15] [16]. Par ailleurs, lesdeux approches furent comparées dans [17] [18] [19] dans des diodes <strong>et</strong> des transistors.2.3. Modèle Dérive DiffusionDans l’équation II- 15 le tenseur W contient une composante de dérive <strong>du</strong>e au champ <strong>et</strong> une composanted’agitation thermique. Pour simplifier l’équation précédente, on suppose que la composante de dérive esttrès faible devant la composante d’agitation thermique <strong>et</strong> que le tenseur est diagonal. On a donc:nJ n = nqµ n E + 2µ∇ kTcII- 232L’équation précédente paraît similaire à l’équation Dérive-Diffusion, mais cependant elle rappelle que ladiffusion est associée au gradient de densité d’énergie cinétique résultant d’un gradient de porteur <strong>et</strong> /oud’un gradient d’énergie par porteur. Cependant si l’on explicite davantage le gradient on obtient :Jn= nqµ E + qD ∇n+ qD ∇TII- 24nnTC- 51 -

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