etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

Chapitre III : Etude expérimentale des effets non stationnairesFonction de distribution (%) .3,5E-023,0E-022,5E-022,0E-021,5E-021,0E-025,0E-030,0E+00-10,0 -5,0 0,0 5,0 10,0Vitesse (1e5m/s)Vitesse (1e5 m/s) .2,52,01,51,00,50,00 10 20 30 40 50 60 70Distance le long de la diode (nm)Figure III- 67 : Fonction de distribution en différentespositions. f peut s’apparentée à une maxwellienne déplacée.Illustration sur la diode de 30nm à V DS =1VFigure III- 68 : Vitesse des porteurs dans la diode de 30nm àV DS =1V. La notion de mobilité n’est plus valable. La diode de 30nm Balistique: Pour connaître le cas limite, la même diode que ci-dessus a étésimulée sans effectuer les interactions dans la zone n. On remarque sur la Figure III- 69 uncoefficient de rétro-diffusion quasiment nul, et la présence unique de pics de porteurs balistiques.La Figure III- 70 illustre la vitesse le long de la diode et révèle que la thermalisation des porteursjoue un rôle très important dans le calcul de la vitesse moyenne le long du canal. Lathermalisation est visible sur la courbe noire de la Figure III- 69. C’est une courbe avec deuxplateaux. Le plateau large correspond aux porteurs à masse transverse et l’autre aux porteurs àmasses longitudinales. De plus, on aperçoit l’injection des porteurs venus du drain (la petite bossedu milieu...)Fonction de distribution (%) .6,E-025,E-024,E-023,E-022,E-021,E-02Vitesse (1e5m/s ) .3,53,02,52,01,51,00,50,E+00-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 100,00,0 10,0 20,0 30,0 40,0 50,0 60,0 70,0Vitesse (1e5m/s)Distance le long de la diode (nm)Figure III- 69 : Fonction de distribution en différentespositions. f peut s’apparentée à une maxwellienne déplacée.Illustration sur une diode de 30nm à V DS =1VFigure III- 70 : Vitesse des porteurs dans la diode de 30nm àV DS =1V. La notion de mobilité n’est plus valable.- 116 -