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Chapitre IV : Modélisation analytique <strong>du</strong> <strong>transport</strong> quasi balistique[29] “The Monte Carlo m<strong>et</strong>hod for the solution of charge <strong>transport</strong> in semicon<strong>du</strong>ctors withapplications to covalent materials”, C. Jacoboni, Reviews of modern Physics, vol. 55, n°5,1983.[30] “A Scattering matrix approach to device simulation”, Solid-State Electron., A. Das and M.S.Lundstrom, vol33, 1990, pp: 1299-1307.[31] “Transistor MOS <strong>et</strong> sa. Technologie de Fabrication”, T. Skotnicki, Encyclopédie technique del’ingénieur, Cahier 2 430, 2000.[32] “Semicon<strong>du</strong>ctor Transport”, D.K. Ferry, New York: Taylor and Francis, 2000.[33] “On the Mobility vs. Drain Current Relation for a Nanoscale MOSFET”, M. Lundstrom, IEEEElectron Device L<strong>et</strong>ters, vol. 22, 2001, pp: 293-295.[34] “On the universality of inversion layer mobility in Si MOSFET's: Part I-Effects of substrateimpurity concentration”, S. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, H. Tango, IEEE Trans. ElectronDevices, 1994; vol. 41, pp: 2357-62.[35] “The Voltage-Doping Transformation: A New Approach to the Modeling of MOSFET Short-Channel Effects”, T. Skotnicki, G. Merckley, T. Pedron, Electron Device L<strong>et</strong>ters, vol. 9, n° 3,1998, pp: 109-112.[36] “Si/Si 1-x Ge x h<strong>et</strong>erostructure: electron <strong>transport</strong> and field effect transistor operation usingMonte Carlo simulation”, P. Dollfus, J. Appl. Phys., vol. 82, 1997, pp: 3911-3916.[37] “Etude par simulation Monte Carlo des eff<strong>et</strong>s de quantification sur le <strong>transport</strong> dans lesstructures à eff<strong>et</strong>s de champ”, F. Monsef, Thèse, IEF- Université Paris Sud, 2002.[38] “Comparative study of phonon limited mobility of two dimensional electrons in strained an<strong>du</strong>nstrained Si m<strong>et</strong>al-oxide-semicon<strong>du</strong>ctor field effect transistor”, S. Takagi, J. Hoyt, J. Welserand J. Gibbons, J. Appl. Phys., vol. 80, 1996, pp: 1567-1577.[39] “On the ballistic <strong>transport</strong> in nanom<strong>et</strong>er-scaled DG MOSFETs”, J. Martin, A. Bournel, P.Dollfus, Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, issue 7, 2004, pp: 1148-1155.[40] “Temperature Dependent Channel Backscattering Coefficients in Nanoscale MOSFETs”, M.Chen <strong>et</strong> al, Electron Devices Me<strong>et</strong>ing, IEDM 2002. Digest. International, pp: 39-42.[41] “The hydrodynamic Model in Semicon<strong>du</strong>ctors - Coefficients calculations for the con<strong>du</strong>ctionband of silicon”, M. Rudan, Pitman Res. Notes, Laugman Edition, 1994.[42] “Using six moments of Boltzmann’s <strong>transport</strong> equation for device simulation”, T. Grasser, H.Gosina, C. Heitzinger and S. Selberherr, Journal of Applied Physics, vol. 90,n°5, 2001, pp:2389-2396[43] “A novel Local Strain Scheme with Strong 45nm CMOS Performance for BroadApplications”, C.T. Huang, IEDM 2004.[44] “Strained silicon MOSFET technology”,J.L. Hoyt, H.M. Nayfeh, S. Eguchi, I. Aberg, G. Xia,T. Drake, E.A. Fitzgerald, D.A Antoniadis, Electron Devices Me<strong>et</strong>ing, 2002. IEDM, Digest.International 8-11 Dec. 2002, pp: 23 - 26[45] “Electron and hole mobility enhancement in strained-Si MOSFET's on SiGe-on-insulatorsubstrates fabricated by SIMOX technology”, T. Mizuno, S. Takagi, N. Sugiyama, H. Satake,A. Kurobe, A. Toriumi, Electron Device L<strong>et</strong>ters, IEEE vol.21, issue 5, 2000, pp:230 – 232[46] “Electrical Characterization and Mechanical Modelling of Process In<strong>du</strong>ced Strain in 65 nmCMOS Technology”, C. Ortolland, ESSEDERC 2004, pp: 137-140.[47] “Symm<strong>et</strong>ry and Strain-in<strong>du</strong>ced Effects in Semicon<strong>du</strong>ctors”, G.L. Bir, G.E. Pikus, Wiley,1972.- 185 -
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REMERCIEMENTSCette étude a été m
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