10.07.2015 Views

etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Chapitre I : Intro<strong>du</strong>ction au <strong>transport</strong> électroniqued’ordre 1 est proportionnel au déplacement des atomes u <strong>et</strong> au potentiel de déformation inter-valléeD if , qui caractérise la force qu’il faut pour faire passer un électron de la vallée i à la vallée f. Pour lesinteractions inter-vallée d’ordre 0, le potentiel de déformation vaut :U= D uI- 27if if −0Où u est le déplacement <strong>du</strong> cristal dû au phonon. En reprenant les calculs de la règle d’or de Fermi <strong>et</strong>en intégrant les taux de transitions sur tous les états possibles la fréquence d’interaction inter-valléed’ordre 0 pour une bande parabolique vaut [10] :τ1ifop( ε)q=3 / 2Zifm3 / 2dD22πhρhω2if −0if⎡⎢N⎣p+1 1⎤±2 2⎥⎦ε ± hωOù Z if est le nombre de vallées d’arrivée (1 pour les transitions de type « g » <strong>et</strong> 4 pour les transitions d<strong>et</strong>ype « f »), m d la masse de densité d’états des vallées,ifI- 28hωifl’énergie <strong>du</strong> phonon mise en jeu, N p ladensité de phonons.De la même manière, pour les interactions inter-vallée d’ordre 1, avec un potentiel perturbateursemblable à I- 24, on obtient les fréquences d’interactions d’ordre 1 [10] avec:5 / 2 5 / 2 21 2qZifmdDif−1⎡ 1 1⎤=Npε ± ωif ifif+τ ( ε)π ρ ω ⎢+ ±⎥h4h h ⎣ 2 2⎦1if[( ε ± hω) ε]Le signe « + » («- ») des équations I- 28 <strong>et</strong> I- 29 correspond à une absorption de phonon inter-vallée(émission) comme illustré sur la Figure I-16 <strong>et</strong> Figure I-17. Les interactions sont plus probables à fort<strong>et</strong>empérature <strong>et</strong> à forte énergie électronique. A forte énergie, elles sont prédominantes <strong>et</strong> contribuent àla relaxation de l’énergie <strong>du</strong> gaz électronique.I- 29Fréqence d'interaction emissionintervallée(1/s)1.0E+141.0E+131.0E+121.0E+111.0E+101.0E+090 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5Energie (eV)Figure I-17 : Fréquence d’interaction des émissions desphonons inter vallée dans le silicium à 300K.Fréqence d'interactionphonon(1/s)1.0E+141.0E+131.0E+121.0E+110 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5Energie (eV)Figure I-18 : Fréquence totale des interactions phonons dansle silicium à 300K.Il existe au total 3 interactions de types « f » <strong>et</strong> 3 de types « g ». Les valeurs des potentielsd’interactions D if <strong>et</strong> les énergies des phonons associées sont récapitulées dans le Tableau I- 1 <strong>et</strong> leTableau I-2 . La somme de toutes les fréquences d’interactions inter-vallées est tracée sur la FigureI-18.- 22 -

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!