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etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

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Chapitre I : Intro<strong>du</strong>ction au <strong>transport</strong> électroniquerelatif aux interactions de surface, il faut identifier le potentiel perturbé. Une fluctuation de la couched’oxyde pro<strong>du</strong>it une variation <strong>du</strong> potentiel [10] donnée par :V[ z δ ( ρ )] = V ( z) + δ ( ρ )( z)dV+ I- 37dzoù ρ est le vecteur normal de l’interface Si-SiO 2 <strong>et</strong> δ( ρ ) l’amplitude des fluctuations de l’interface. Lepotentiel perturbateur vaut :U =SRqEzδ ( ρ )I- 38Figure I-21 : Image de la couche d’oxyde (entre les 2lignes rouges) <strong>et</strong> des défauts de c<strong>et</strong>te interface (en vert).Figure I-22 : Représentation schématique de la couche d’oxyde<strong>et</strong> de ses défauts d’interface caractérisés par deux grandeurscaractéristiques : D l’amplitude des défauts <strong>et</strong> L la distance« moyenne » entre ces défauts.En reprenant les calculs de la règle d’or de Fermi <strong>et</strong> en intégrant les taux de transitions sur tous lesétats possibles on obtient la fréquence d’interaction de rugosité de surface pour un gaz 2D :* 2 2 2π1 m ( E Lq ∆)1τSRε ε θavg=3 2( ) 2h∫2 2Si 0 ( 1+k L cos( / 2) )Où ε si E avg =Q dep +0.5Q inv. [7] <strong>et</strong> L la longueur moyenne entre les défauts <strong>et</strong> D l’amplitude de ces défautscomme décrit en [13] <strong>et</strong> illustré sur la Figure I-22. La fréquence d'interaction augmente lorsque lapolarisation de la grille <strong>du</strong> fait de l’augmentation de champ moyen de confinement E avg . Par ailleurs,l’interaction de rugosité de surface étant élastique, on a :3.2.4. Autres interactionsττSRmSRWSR( ε) ≠ τ ( ε)( ε) ≈ ∞Les interactions présentées précédemment sont celles qui sont principalement mises en jeu dans l<strong>et</strong>ransport électronique des MOSFETs à 300 K. Cependant il existe de nombreuses autres interactionsqui peuvent devenir non négligeables suivant le problème que l’on souhaite étudier. Des phonons inter-vallée vers la vallée L peuvent apparaître à forte énergie [28] D’autres phonons peuvent entrer en jeu à d’autres températures [28] Des interactions électrons-électrons: Lorsque la densité de porteurs est importante, lescollisions électrons-électrons ne sont plus négligeable. Il y a deux types d’interactions :- 25 -3/ 2dθI- 39I- 40

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