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etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

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Chapitre IV : Modélisation analytique <strong>du</strong> <strong>transport</strong> quasi balistiqueCHAPITRE IV :MODELISATION ANALYTIQUE DUTRANSPORT QUASI BALISTIQUE1. INTRODUCTIONLe chapitre précédent nous a permis de présenter une analyse expérimentale <strong>du</strong> <strong>transport</strong> nonstationnaire <strong>et</strong> quasi-balistique grâce à des comparaisons entre mesures expérimentales <strong>et</strong> résultats desimulations. De plus, la connaissance théorique <strong>du</strong> <strong>transport</strong> s’est ainsi grandement améliorée parl’intermédiaire de la spectroscopie des vitesses de porteurs par simulations Monte Carlo à l’aide deMONACO [1]. Dans ce quatrième <strong>et</strong> dernier chapitre, l’objectif est de capitaliser c<strong>et</strong>te compréhensionen réalisant un modèle analytique qui possède la physique nécessaire <strong>et</strong> suffisante pour décrire l<strong>et</strong>ransport <strong>du</strong> régime ohmique au régime balistique <strong>et</strong> pour répondre aux problématiques actuelles, telleque l’augmentation des performances in<strong>du</strong>ites par les contraintes dans le silicium. Entrevus au chapitreII, de nombreux modèles compacts existent, chacun avec leurs spécificités, avantages <strong>et</strong> inconvénients.Pour réaliser ce nouveau modèle, l’approche de Landauer sera utilisée en améliorant la modélisationde la vitesse d’injection [2] par l’intro<strong>du</strong>ction d’un nouveau modèle de rétro-diffusion [3]. De plus, lavitesse <strong>et</strong> la fonction de distribution le long <strong>du</strong> canal seront modélisées. Ceci passera par unevalidation rigoureuse des probabilités de porteurs balistiques <strong>et</strong> de rétro-diffusion le long <strong>du</strong> canal viala spectroscopie d’interactions subies par les porteurs. De c<strong>et</strong>te spectroscopie, la physique <strong>du</strong> <strong>transport</strong>électronique sera extraite, <strong>et</strong> l’ensemble des phénomènes de <strong>transport</strong> observés sera modélisé. Ensuite,le modèle sera utilisé pour évaluer l’influence de la quantification dans le canal. Enfin, ce modèle seraadapté pour prendre en compte la contrainte dans les MOSFETs <strong>et</strong> pour effectuer des comparaisonsexpérimentales [4]. Au final, le modèle, mise en oeuvre dans MASTAR4 [5] en tant que nouvellefenêtre de travail « MASTAR QUASI BALISTIC » [6], apportera un nouvel éclairage sur le <strong>transport</strong>quasi-balistique.2. L’APPROCHE DE LANDAUER2.1. Rappels <strong>et</strong> cadre de l’étudeD’après le chapitre II, dans le cadre <strong>du</strong> modèle de Landauer, le courant ce modélisé avec [2] :I= WCox( V − V )GSthvtherm⎛1− R⎜⎝1+ RCC⎡⎢−qVDS⎞⎢1 − e⎟⎢⎠ ⎛1− RC⎞⎢1+⎢⎜⎟e⎣ ⎝1+ RC⎠/ kT−qVDS/ kT⎤⎥⎥⎥⎥⎥⎦IV- 1- 131 -

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