etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

Chapitre IV : Modélisation analytique du transport quasi balistique Développer une méthodologie d’extraction de paramètres Améliorer le modèle pour être en accord avec les impératifs du modèle Compact(continuité, rapidité….) Développer l’ensemble des régimes du MOSFET. Insérer les effets annexes, comme les courants de fuite de grille, de substrat…. Valider les projections du modèle sur des valeurs expérimentalesL’ensemble du travail présenté précédemment se situe dans la seconde voie. Il reste cependantbeaucoup de travail si l’on désire continuer dans la modélisation physique : Faire un travail similaire pour les transistors à canal P Modéliser le transport pour les autres types de MOSFET (DG, SOI…) Modéliser le profil de potentiel 2D en fonction de la raideur des jonctions Modéliser en 2D les effets canaux courts Modéliser les interactions gaz 2D et calibrer sur la mobilité universelle. Modéliser le transport en gaz 2D avec validation sur un code Monte Carlo incluant leseffets de quantification.Ces deux voies de travail semblent à priori différentes, mais je pense qu’il serait pertinent de les menerensemble. Le bénéfice en sera beaucoup plus grand. En effet, une meilleur compréhension physiqueenrichit la modélisation compacte tandis que la modélisation compacte oblige à se raccrocher toujoursaux valeurs expérimentales et de vérifier les compatibilités sur de large gamme de paramètresgéométriques, de dopage et de polarisation.11. REFERENCES[1] “On the ballistic transport in nanometer-scaled DG MOSFETs”, J. Martin, A. Bournel, P.Dollfus, Electron Devices, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, issue 7, 2004, pp: 1148-1155.[2] “A Landauer Approach to Nanoscale MOSFETs”, M.S. Lundstrom, Journal of ComputationalElectronics, vol. 1, 2002, pp: 481-489.[3] “A New Backscattering Model giving a Description of the Quasi Ballistic Transport”, E.Fuchs, P. Dollfus, G. Le Carval, S. Barraud, D. Villanueva, , H. Jaouen, T. Skotnicki., IEEETrans. Electron Devices, vol. 52, n° 10, 2005, pp: 2280-2289.[4] “A New Quasi Ballistic Model for Strained MOSFET”, E.Fuchs, S. Orain, C. Ortolland, P.Dollfus, G. Le Carval, D. Villanueva, A. Dray, H. Jaouen, T. Skotnicki, SISPAD 2005.[5] “MASTAR user guide”, STMicroelectronics research, 2003, Disponible sur:http://public.itrs.net[6] “MASTAR QUASI BALLISTIC user guide”, ST Microelectronics research, 2005.[7] “Electronic properties of two dimensional systems”, T. Ando, A. Fowler and F. Stern, Reviewof modern Physics, vol. 54, n°2, 1982. pp: 437-672.[8] “Physique de l’état solide”, C. Kittel, Edition Dunot, 1998, 7 e édition.[9] “Fundamental of carrier transport”, M.S. Lundstrom, Cambridge University Press, 2001.[10] “Decoupling Channel Backscattering Coefficients in Nanoscale MOSFETs to Establish Near-Source Channel Conduction-Band Profiles”, M.-J. Chen, R.-T. Chen, and Y.-S. Lin,Nanoscale WorkShop VLSI 2005 pp: 50-51.- 183 -