etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

Chapitre IV : Modélisation analytique du transport quasi balistique∞1 πe − αx2∫ dx = = Vnorm( α)IV- 792 α0la fonction de distribution peut être tracée. Par exemple pour la composante représentative des porteursayant subis une ou plusieurs interactions la fonction de distribution associée est :( v − v ( x))⎛*21⎞( ) ( ( ))⎜0.5mcx sourcef = −⎟HYD vx,x 1 Pbalx expIV- 80Vnorm⎝kTC⎠Chaque composante de la fonction de distribution une fois normalisée, il suffit de les additionner lesunes aux autres. On a donc :f( v ,x) f ( v ,x) + f ( v ,x) + f ( v ,x) + f ( v ,x) f ( v ,x)x = bal− t x bal−lx RC x HYD x + drain x IV- 81Pour obtenir une compréhension accrue, la modélisation de la fonction de distribution peut se meneren 2D en multipliant f par une composante f(v Y ), maxwellienne centrée en 0 avec une températureégale à 300K. Cependant pour la thermalisation cette modélisation f(v Y ) est inadaptée comme lamontré la spectroscopie dans le chapitre III sur la diode de 30nm. Cependant pour les ¾ du canal lamodélisation est correcte et permet de représenter le transport du régime diffusif au régime balistique.Les différentes fonctions de distributions sont illustrées pour le MOSFET de référence n°2 sur lesFigure IV- 64 à Figure IV- 67.Figure IV- 64: Fonction de distribution au sommet de labarrière de potentiel pour le MOSFET n°2 à V dd =0.8VFigure IV- 65: Fonction de distribution à 15% dans le canalpour le MOSFET n°2 à V dd =0.8VFigure IV- 66: Fonction de distribution au milieu du canalpour le MOSFET n°2 à V dd =0.8VFigure IV- 67: Fonction de distribution vers la fin du canal(80%) pour le MOSFET n°2 à V dd =0.8V- 166 -