etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

Chapitre III : Etude expérimentale des effets non stationnairesFigure III-6: Méthodologie de calibrage des diodes 10microns. La première étape consite à calibrer l’empilementde grille, ensuite on ajuste le dopage du canal et lesparamètres de diffusion pour obtenir le réseau I(V)expérimentalFigure III-7: Méthodologie de calibrage de la cartographie2D du dopage. Par une coupe MEB, les longueurs de grillesont déterminées et la révélation chimique ainsi qu’unemesure SIMS permet de déterminer la cartographie dedopage 2D.5.1.1. CalibrageComme indiqué sur la figure précédente, la première étape de calibrage est la détermination del’empilement de grille pour connaître le dopage du substrat, ainsi que le dopage et l’épaisseur de la grille.1.1.1.1 C (V)La structure des diodes est identique à celle des transistors ; seuls les dopages sont inversés comme décritpar la Figure III-8. Par conséquent, la seule possibilité de mesure de C(V) est la mesure de capacitéSource/Grille ou Drain/Grille. La mesure capacité Grille/Substrat n’est pas possible car la capacitéparasite liée à la zone de charge espace sous la prise substrat empêche de calibrer proprement lacaractéristique C(V) en accumulation. Par conséquent, seule la partie en inversion forte est ajustée.Résistance (Ohm.m) .35500Rinv à 3V30500255002050015500105001,0E+02 1,0E+03 1,0E+04 1,0E+05 1,0E+06Fréquence (Hz)Figure III-8: Description de la structure 2D et de laméthodologie de mesure des C(V).Figure III-9: Capacité maximale sur une capacité de40000µm 2 pour différentes valeurs de fréquences.- 90 -