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etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

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Chapitre II : Les différents niveaux de la modélisationoù V est l’énergie potentielle. Afin de faire le lien avec l’équation de <strong>transport</strong> de Boltzmann, undéveloppement possible pour l’équation fondamentale de <strong>transport</strong> de Wigner est [42]:( r p,t)∂ ∞2ifW, pi ⎛ h ⎞ 1 2i+1+ ∇ r fW( r,p,t) + qE∇p fW( r,p,t) − ∑ ( −1)⎜ ⎟ ∇ r V p∂tmi ⎝ ⎠ ( i + )+ 1= 12 2 1 !2i( r) ∇ f ( r,p,t)W∂f=W( r,p,t)∂tcollII- 31Ainsi que lorsque h tend vers 0, l’équation de Wigner est similaire à l’équation de <strong>transport</strong> deBoltzmann. C<strong>et</strong>te équation ne comporte aucune approximation hormis celle de la masse effective. Ellefournit un terme supplémentaire qui caractérise les eff<strong>et</strong>s quantiques. En prenant le premier terme de lasérie de Taylor <strong>et</strong> en effectuant un grand nombre d’approximations décrites dans [44] <strong>et</strong> en suivant lamême démarche que dans la méthode des moments, le nouveau système est identique à celui <strong>du</strong> modèleDérive-Diffusion mais le potentiel utilisé est corrigé d’un potentiel quantique:ψ = ψ DD+ ψ QMavecψQM2γh=6m*n⎛ ∇⎜⎝2n ⎞⎟n⎠II- 32Où le paramètre γ perm<strong>et</strong> d’obtenir des résultats proche d’une simulation Poisson/Schrödinger. Ancona estses collaborateurs [44] ont étudié l’influence de ce terme d’ajustement sur des MOSFETs Double Grilles.Ils ont montré que le modèle est moins prédictif lorsque la masse moyenne diminuait, que la températuredécroit <strong>et</strong> que l’épaisseur <strong>du</strong> film mince est faible. De nombreux autres auteurs [47] ont étudiés ce modèlesur des diodes double barrières tunnel pour analyser les limites <strong>du</strong> modèles.Figure II- 7: Comparaison de C(V) entre l’expérience (endiamant) <strong>et</strong> la courbe calculée avec DD (en pointillée) <strong>et</strong> avecDensity gradient (en trait plein). [45]Figure II- 8: Expérimental (symbole) <strong>et</strong> simulations (traits) decaractéristiques IV de courant de grille, pour un nMOSFETs à3 épaisseurs d’oxyde de grille différente. [44]En résumé, le modèle Density Gradient perm<strong>et</strong> de prendre en compte le décalage de charge à l’interfaceSi-SiO 2 <strong>et</strong> dans une certaine mesure le courant tunnel source drain par abaissement de la barrière <strong>du</strong> fait dela forte variation de charge en ce point [43]. En aucun cas, ce modèle ne peut modéliser l’influence de laquantification <strong>et</strong> les phénomènes d’interférence autre que le courant tunnel.2.6.2. Couplage avec une résolution Poisson SchrödingerPour obtenir une description plus rigoureuse des eff<strong>et</strong>s quantiques sur le <strong>transport</strong>, une des alternatives estde procéder à une simulation classique, couplée à une simulation Poisson/Schrödinger 1D dans ladirection <strong>du</strong> confinement. Cela perm<strong>et</strong> de prendre en compte l’influence de la quantification sur le- 56 -

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