etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

Tables des matièresCHAPITRE II :LES DIFFERENTS NIVEAUX DE LA MODELISATION............................................... 451. INTRODUCTION .....................................................................................................................452. SIMULATIONS NUMERIQUES CONVENTIONNELLES .................................................462.1. Méthode des moments : modèle de Bløtekjaer.........................................................462.2. Modèle de Stratton ....................................................................................................502.3. Modèle Dérive-Diffusion ..........................................................................................512.4. Critiques des modèles hydrodynamiques. ................................................................522.5. Bilan...........................................................................................................................542.6. Insertion des effets quantiques ..................................................................................552.7. Conclusion .................................................................................................................573. SIMULATION NUMERIQUE POUR LES DISPOSITIFS ULTIMES.................................583.1. Monte Carlo...............................................................................................................583.2. Fonctions de Green....................................................................................................614. MODELES ANALYTIQUES ET COMPACTS......................................................................634.1. Introduction................................................................................................................634.2. Modèles stationnaires................................................................................................634.3. Modèles non stationnaires.........................................................................................644.4. Approche de Landauer ..............................................................................................654.5. Modèle compact SPICE ............................................................................................715. SAVOIR SE SITUER SUR L’EVENTAIL DE LA MODELISATION.................................725.1. Introduction................................................................................................................725.2. Prédictions et précisions............................................................................................725.3. Compromis en TCAD ...............................................................................................725.4. Bilan d’un point de vue transport..............................................................................736. NOTRE CONTRIBUTION.......................................................................................................756.1. Analyse expérimentale des effets non stationnaires.................................................756.2. Réalisation d’un modèle analytique physique pour MOSFET. ...............................757. REFERENCES ..........................................................................................................................76CHAPITRE III :ETUDE EXPERIMENTALE DES EFFETS NON STATIONNAIRES............................ 831. INTRODUCTION .....................................................................................................................832. INTERETS DES DIODES........................................................................................................833. LES DIODES EXPERIMENTALES N+/N/N+ ETUDIEES ..................................................844. LA TECHNIQUE DE FABRICATION...................................................................................864.1. Choix de la technologie de fabrication .....................................................................864.2. Les différentes variantes de diodes ...........................................................................885. MISE EN EVIDENCE DU TRANSPORT NON STATIONNAIRE .....................................895.1. Méthodologies de calibrage ......................................................................................895.2. Vérification des hypothèses de transport 1D sans effet parasite..............................945.3. Etude en dispersion....................................................................................................955.4. Comparaison entre les modèles.................................................................................966. COMPARAISON EXPERIMENTALE ...................................................................................98- 2 -