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etude theorique et experimentale du transport electronique ... - Ief

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Chapitre IV : Modélisation analytique <strong>du</strong> <strong>transport</strong> quasi balistiqueEt de IV- 27 , on dé<strong>du</strong>it :PRcTD( x)( x)= mfpL − x + mfpIV- 36chLch− x + mfp== 0 VIV- 37L + mfpVDS ch2B ackS catterin g p ro b ab ility (% )100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%VDS=0.8VVDS=0.2VVDS=0V0 5 10 15 20 25X (nm)Figure IV- 22: Illustration de la probabilité de rétrodiffusionaprès une interaction en x.Figure IV- 23: Probabilité de rétro-diffusion en x pourdifférentes polarisation drain à V GS =0.8V sur le MOSFET n°2Le nombre de porteurs subissant leur première interaction en x étant connu, ainsi que leur probabilitéde r<strong>et</strong>our, en intégrant sur tout le canal, le coefficient de rétro-diffusion peut être déterminé. En eff<strong>et</strong>,en multipliant la probabilité de rétro-diffusion par la probabilité de première interaction en x <strong>et</strong> enintégrant sur une quantité x 0 <strong>du</strong> canal, on obtient la fraction de rétro-diffusion pour les porteurs àmasse transverse <strong>et</strong> à masse longitudinale :Ft ,lR Cxt ,l( x) = ∫ PRc( x )Nscat( x ) dx0IV- 38Comme illustré sur la Figure IV- 24, le modèle perm<strong>et</strong> de représenter assez fidèlement, la fraction derétro-diffusion, en accord avec la spectroscopie de porteurs des simulations Monte Carlo. Environ35% (respectivement 50%) de porteurs à masse transverse (resp. à masse longitudinale) injectés dansle canal reviennent vers la source- 145 -

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