Download - Scheib Elektrotechnik GmbH
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Der IGBT Transistor kombiniert die Eigenschaften der MOS-<br />
FET Transistoren mit den Ausgangseigenschaften der LTR<br />
Transistoren.<br />
Heute werden sowohl die Elemente als auch die Steuerung des<br />
Wechselrichters in einem Modul gegossen. Diese werden »Intelligent<br />
Power Module« (IPM) genannt.<br />
Untenstehende Tabelle zeigt die wesentlichen Unterschiede.<br />
Eigenschaft<br />
Halbleiter<br />
MOS-FET IGBT LTR<br />
Symbol<br />
S<br />
G<br />
S<br />
S<br />
G<br />
S<br />
B<br />
E<br />
Aufbau<br />
N+ N+<br />
P<br />
N–<br />
P+<br />
N+ N+<br />
P<br />
N–<br />
N+<br />
N+ N+<br />
P<br />
N–<br />
N+<br />
D<br />
D<br />
C<br />
Leitverhältnisse<br />
Stromleiteigenschaft Niedrig Hoch Hoch<br />
Verluste Hoch Gering Gering<br />
Sperrverhältnisse<br />
Obere Grenze Niedrig Hoch Mittel<br />
Schaltverhältnisse<br />
Einschaltzeit Kurz Mittel Mittel<br />
Auschaltzeit Kurz Mittel Niedrig<br />
Verluste Gering Mittel Groß<br />
Steuerverhältnisse<br />
Leistung Niedrig Niedrig Hoch<br />
Größe Spannung Spannung Strom<br />
Abb. 2.18<br />
Vergleich der Leistungstransistoren<br />
KAPITEL 2: FREQUENZUMRICHTER 67
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