UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

de la tensión umbral y fugas a través del óxido epitaxial ........................................ 77
3.8.5 Efectos de la radiación ionizante en transistores MOS. Modificación de la
capacidad de un transistor ........................................................................................ 78
3.8.6 Efectos de la radiación ionizante en transistores MOS. Variación de la movilidad
superficial y variación de la transconductancia ....................................................... 79
3.9 El ruido en componentes irradiados ................................................................... 79
CAPITULO 4
TOPOLOGÍAS INTERNAS DE UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Y DISPOSITIVOS RELACIONADOS
4.1 Amplificador operacional: Idealidad frente a los modelos reales ..................... 82
4.2 Bloques internos de un amplificador operacional ............................................. 85
4.2.1 Fuentes de corriente en amplificadores operacionales ..................................... 86
4.2.1.1 Fuentes de corriente con referencia en la tensión base-emisor y térmica ........... 86
4.2.1.2 Fuentes de corriente basadas en diodos Zener ...............................................…. 88
4.2.1.3 Fuentes de corriente basadas en transistores JFET ............................................. 88
4.2.2 Espejos de corriente ......................................................................................... 89
4.2.3 Etapas de entrada de un amplificador operacional .......................................... 91
4.2.4 Etapa de ganancia de un amplificador operacional ......................................... 93
4.2.5 Etapa de salida de un amplificador operacional .............................................. 94
4.3 Origen físico de las no linealidades de un opamp real ..................................... 98
4.3.1 Tensión de offset de la entrada ........................................................................ 98
4.3.2 Razón de Rechazo de las fuentes de alimentación (PSRR) ............................. 99
4.3.3 Corrientes de polarización de la entrada .......................................................... 101
4.3.4 Ganancia en lazo abierto de un amplificador operacional ............................... 101
4.3.5 Frecuencia de ganancia-unidad. Modelo del polo dominante ......................... 102
4.3.6 Presencia de varios polos en amplificadores operacionales ............................ 104
4.3.7 Velocidad de respuesta o slew rate de un amplificador operacional ............... 106
4.3.8 Corrientes de cortocircuito de la salida ........................................................... 107
4.3.9 Desplazamiento de las tensiones de saturación ............................................... 112
4.3.10 Consumo de corriente (Quiescent Current, Q.C.) ......................................… 112
4.4 Amplificadores de Instrumentación .................................................................. 113
4.4.1 Estructura clásica de un amplificador de instrumentación .............................. 114
4.4.1.1 Amplificadores ideales y resistencias con tolerancia distinta de cero ................ 114
4.4.1.2 Influencia de la ganancia en lazo abierto de los amplificadores operacionales .. 117
4.4.2 No idealidades asociadas a los amplificadores de instrumentación ................. 120
4.4.2.1 Tensión de offset de salida de un amplificador de instrumentación ................... 120
4.4.2.2 Corrientes de polarización de la entrada ............................................................. 122
4.4.2.3 Slew rate y Frecuencia de caída 3dB .................................................................. 123
iii