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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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37<br />

Efectos de la radiación sobre componentes electrónicos básicos<br />

Fig. 3.3: En un condensador irradiado, se ha creado carga positiva (Q OX) en su interior. La densidad de carga es función de la<br />

distancia y a la placa inferior. En caso de que el conversor esté polarizado, se crean cargas superficiales en las placas, Q SA y Q SB.<br />

Como se vio anteriormente, la radiación ionizante crea pares electrón-hueco en el<br />

dieléctrico. Los electrones se pierden con rapidez quedando atrapada la carga positiva en el<br />

material. La densidad de carga ρ depende únicamente de la distancia y entre el punto de interés y<br />

la placa inferior y no depende de otras variables por razones de simetría. Observemos la figura<br />

3.3: En ella, un condensador polarizado a una tensión VAB = VA - VB > 0 presenta una carga<br />

positiva QOX atrapada en el interior del dieléctrico. En los contactos, existen cargas distribuidas<br />

superficialmente, de signo opuesto, QSA y QSB. La siguientes relaciones se deducen de forma<br />

inmediata:<br />

QA + QOX = QB<br />

(3.1)<br />

H<br />

Q = ( y) dV = ( y)· S· dy<br />

OX<br />

∫ ρ ρ<br />

V ∫ (3.2)<br />

0<br />

La primera relación se obtiene por igualdad de cargas en el equilibrio. La expresión (3.2) se<br />

pudo simplificar recordando que ρ sólo depende de y, por lo que dV es S·dy, siendo S la<br />

superficie del condensador. Ahora, recordemos que la capacidad de un condensador se define<br />

como C =∂Q/ ∂ V , y como la carga atrapada en el dieléctrico es constante, el valor de la<br />

capacidad permanece también constante. En definitiva, la capacidad del condensador irradiado<br />

no varía y, por tanto, su admitancia compleja Y = j·ω·C tampoco.<br />

Sin embargo, no todos los condensadores se utilizan en diseño electrónico para introducir<br />

impedancias compleja. Un uso muy extendido es de almacenar y suministrar carga eléctrica:<br />

Osciladores de relajación, filtros de tensión en las alimentaciones, células de memoria en<br />

circuitos integrados, etc. Un condensador irradiado de capacidad C sometido a una tensión V<br />

puede almacenar una carga C·V pero, debido a la presencia de carga positiva atrapada en el<br />

dieléctrico, el condensador no puede desprenderse de toda la carga almacenada en sus placas<br />

incluso cuando éstas son cortocircuitadas (Fig. 3.4). Por esta causa, la carga que puede ceder el<br />

condensador es mucho menor que uno no irradiado. Este hecho ha sido ampliamente<br />

comprobado en condensadores de tántalo [Bak73, Boe73, Smi77] aunque puede ser extrapolado<br />

a cualquier otro condensador [Sro88]. En estos estudios se encontró que la carga atrapada crea<br />

una diferencia de tensión entre los bornes del condensador que es, inicialmente, proporcional a la<br />

dosis total pero que tiende a saturarse a causa de que las cargas positivas se han hecho tan

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