UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID
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Efectos de la radiación sobre componentes electrónicos básicos<br />
Fig. 3.3: En un condensador irradiado, se ha creado carga positiva (Q OX) en su interior. La densidad de carga es función de la<br />
distancia y a la placa inferior. En caso de que el conversor esté polarizado, se crean cargas superficiales en las placas, Q SA y Q SB.<br />
Como se vio anteriormente, la radiación ionizante crea pares electrón-hueco en el<br />
dieléctrico. Los electrones se pierden con rapidez quedando atrapada la carga positiva en el<br />
material. La densidad de carga ρ depende únicamente de la distancia y entre el punto de interés y<br />
la placa inferior y no depende de otras variables por razones de simetría. Observemos la figura<br />
3.3: En ella, un condensador polarizado a una tensión VAB = VA - VB > 0 presenta una carga<br />
positiva QOX atrapada en el interior del dieléctrico. En los contactos, existen cargas distribuidas<br />
superficialmente, de signo opuesto, QSA y QSB. La siguientes relaciones se deducen de forma<br />
inmediata:<br />
QA + QOX = QB<br />
(3.1)<br />
H<br />
Q = ( y) dV = ( y)· S· dy<br />
OX<br />
∫ ρ ρ<br />
V ∫ (3.2)<br />
0<br />
La primera relación se obtiene por igualdad de cargas en el equilibrio. La expresión (3.2) se<br />
pudo simplificar recordando que ρ sólo depende de y, por lo que dV es S·dy, siendo S la<br />
superficie del condensador. Ahora, recordemos que la capacidad de un condensador se define<br />
como C =∂Q/ ∂ V , y como la carga atrapada en el dieléctrico es constante, el valor de la<br />
capacidad permanece también constante. En definitiva, la capacidad del condensador irradiado<br />
no varía y, por tanto, su admitancia compleja Y = j·ω·C tampoco.<br />
Sin embargo, no todos los condensadores se utilizan en diseño electrónico para introducir<br />
impedancias compleja. Un uso muy extendido es de almacenar y suministrar carga eléctrica:<br />
Osciladores de relajación, filtros de tensión en las alimentaciones, células de memoria en<br />
circuitos integrados, etc. Un condensador irradiado de capacidad C sometido a una tensión V<br />
puede almacenar una carga C·V pero, debido a la presencia de carga positiva atrapada en el<br />
dieléctrico, el condensador no puede desprenderse de toda la carga almacenada en sus placas<br />
incluso cuando éstas son cortocircuitadas (Fig. 3.4). Por esta causa, la carga que puede ceder el<br />
condensador es mucho menor que uno no irradiado. Este hecho ha sido ampliamente<br />
comprobado en condensadores de tántalo [Bak73, Boe73, Smi77] aunque puede ser extrapolado<br />
a cualquier otro condensador [Sro88]. En estos estudios se encontró que la carga atrapada crea<br />
una diferencia de tensión entre los bornes del condensador que es, inicialmente, proporcional a la<br />
dosis total pero que tiende a saturarse a causa de que las cargas positivas se han hecho tan