UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 8
En la zona de bajas tensiones, se observa la existencia de un fenómeno de histéresis,
similar al observado en la tensión de salida. Una vez superado este tramo, el consumo de
corriente es algo menor después de la irradiación que antes. Sin embargo, la dependencia de la
fuente de alimentación es tan acusada que, en el rango de tensiones entre 15 y 20 V, el consumo
es mucho mayor que antes de la irradiación.
(a) (b)
Fig. 8.16a-b: Evolución de la tensión de salida de una referencia XFET: En torno a la tensión nominal de salida (a) y en todo el
rango de flujo de neutrones (b).
8.4 Referencias de tensión XFET
Se irradió el modelo ADR290 como representante de esta familia, cuya salida nominal es
2.048 V y el consumo de 12 µA si la referencia no está cargada. Se irradiaron tres muestras, que
recibieron dosis de 4.3, 7.6 y 9.1·10 13 n·cm -2 aunque, en la práctica, las muestras fueron
destruidas con dosis mucho menores ( ∼1.3·10 13 n·cm -2 ) por lo que sólo se disponen de los datos
obtenidos durante la irradiación.
En esta referencia, se observó que la
tensión de salida decrecía suavemente
durante la irradiación (Fig. 8.16) y que este
descenso se aceleraba poco a poco.
Finalmente, al llegar a una dosis de radiación
entre 5-6·10 12 n·cm -2 , se produce una caída
brusca hasta 0.75 V (fig. 8.16). A partir de
este valor, la tensión de salida decrece con
suavidad hasta 0 V.
En el caso de la corriente de
alimentación (Fig. 8.17), se observó un leve
incremento en el consumo hasta que alcanza
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Fig. 8.17: Consumo de corriente de una referencia XFET a 15
V en función del flujo de radiación.