UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Efectos de la radiación sobre amplificadores de instrumentación en tecnología bipolar
V2= VIN
(7.3b)
V
3
R
=− · V IN
(7.3c)
R
G
⎛ R ⎞
V4=
⎜1 + ⎟·
V IN
(7.3d)
⎝ RG
⎠
R
V = V = V
(7.3e)
V
5 6 · IN
RG
⎛ 2R
⎞
= ⎜1 + ⎟·
V (7.3f)
⎝ RG
⎠
OUT IN
En estas circunstancias, se puede deducir que la corriente que proporciona el amplificador
(2) de fig. 4.30 es:
I
I
O,2
O,1
2· VIN
= (7.4)
R
G
Y la que es absorbida por el amplificador (1):
3· VIN
= (7.5)
R
G
Por otra parte, el valor de la tensión de entrada puede calcularse a partir de la tensión de
salida. Por tanto, las anteriores expresiones se transforman en:
I
I
=
3
O,1 OUT
2R+
RG
O,2
2
=
2R+
R
G
V (7.6)
V OUT
(7.7)
En el caso de que R = 20 kΩ y VOUT ≈ ± 10 V, los amplificadores deberían proporcionar o
absorber unas corrientes del orden de 495-740 µA. En el capítulo 6, se vio que la corriente de
salida de algunos amplificadores podía caer por debajo de estos valores, lo que apoya esta teoría.
Por otra parte, hay que recordar que, a diferencia del amplificador 3, estos amplificadores no
están pensados para tener que alimentar cargas muy elevadas. Por tanto, sus etapas de salida no
están tan perfeccionadas como en aquél, dándoles una menor tolerancia a la radiación.
7.7 Amplificadores de instrumentación con componentes
discretos
Una alternativa a los amplificadores de instrumentación integrados son aquellos formados
por tres amplificadores operacionales tolerantes a la radiación y por resistencias de película
metálica. Los amplificadores operacionales seleccionados fueron los modelos OPA627 y
TLE2071, ambos de entrada JFET o DiFET, que es una variedad evolucionada de la entrada
213