UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Índice
CAPITULO 1
INTRODUCCIÓN
1.1 Breve descripción del LHC y su entorno .......................................................... 1
1.2 Objetivo de esta memoria .................................................................................. 7
CAPITULO 2
ACCIÓN DE LA RADIACIÓN SOBRE LOS MATERIALES UTILIZADOS EN EL
DISEÑO ELECTRÓNICO
2.1 Daño producido por medios no ionizantes en semiconductores ........................... 11
2.1.1 Eliminación de defectos y acción del daño por desplazamiento en la banda
prohibida de un semiconductor ..................................................................................... 13
2.1.2 Efectos del daño por desplazamiento en las propiedades eléctricas de un
semiconductor ........................................................................................................... 15
2.2 Daño producido por medios no ionizantes en metales y aislantes ..................... 19
2.3 Daño producido por medios ionizantes en semiconductores y metales ............. 19
2.4 Daño producido por medios ionizantes en dieléctricos ..................................... 21
2.4.1 Generación y captura de cargas en un aislante ................................................. 22
2.4.2 Creación de trampas en la interfaz SiO2-Si por radiación ionizante ............... 23
2.5 Daño producido por ionización en materiales por sucesos aislados ................. 25
2.5.1 Errores Leves: Single Event Upset (SEU), Multiple Bit Upset (MBU)
y Single Event Functional Interrupt (SEFI) ........................................................... 26
2.5.2. Errores Leves: Single Event Transient (SET) ................................................. 27
2.5.3. Errores Graves: Single Event Latch-up ...............................................……… 27
2.5.4 Errores Graves: Single Event Snapback (SES) ................................................. 29
2.5.5. Errores Graves: Single Hard Error (SHE) ...............................................……. 30