UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 4
excepto una parte, estudiando a continuación la influencia de este parámetro en la salida de la
referencia.
Fig. 4.43 : Estructura equivalente de una referencia de separación de banda con amplificador operacional ideal. Las tensiones de
colector son iguales a causa de la realimentación.
4.5.4.1 Amplificador operacional ideal y transistores no ideales
El amplificador operacional de fig. 4.42 es ideal en tanto que los transistores que forman la
célula presentan corrientes de recombinación, distintos valores de ganancia, etc. Puesto que la
ganancia en lazo abierto del amplificador operacional es infinita, las tensiones en las entradas V+
y V- son exactamente iguales al ser VOUT finita y distinta de las tensiones de saturación. En
consecuencia, las corrientes que atraviesan los colectores de Q1 y Q2 son exactamente iguales y
el circuito equivalente a la referencia de tensión es el mostrado en fig. 4.43. Las ecuaciones
deducidas de este circuito son:
⎛V3 −V
⎞ 1
IB1 = IS·exp⎜
⎟
⎝ mVT
⎠
I pI
⎛V −V
⎞
3 2
B2 = S·exp⎜
⎟
mVT
V −V
R
2 1
2
⎝ ⎠
( )
FE,2 B2
132
(4.85a)
(4.85b)
= h + 1· I
(4.85c)
I = I ⇒ h · I = h · I
(4.85d)
C2 C1 FE,1 B1 FE,2 B2
V1
= ( hFE,1 + 1· ) IB1 + ( hFE,2 + 1· ) IB2
(4.85e)
R
1
VOUT −V5
V5
= + ( IB1+ I B2)
(4.85f)
kR · R
Se ha supuesto que la corriente de base del transistor Q1 tiene una corriente de saturación
inversa IS y un coeficiente de idealidad m. Por otra parte, hay que recordar que, de acuerdo con
(3.7)-(3.10), la corriente de saturación inversa es proporcional al área de contacto entre la zona p