UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 4
Fig. 4.18 : Par bipolar polarizado con un espejo simple de corriente. Se supone que la tensión de offset del amplificador
diferencial equivale a una fuente externa V OS tal que, al ser aplicada en la entrada, V O+-V O- = 0 V.
( )
h h
I = I ·1 + · V = I ·1 + · V −V
( λ4 , 4) λ4
( , 2)
* FE FE
EE
hFE + 2
EE CE Q
hFE+
2
EE EE BE Q
100
(4.25)
Se cumple que IC1+IC2 = IEE * y que VOS = F(IC1, IC2). Por tanto, la dependencia de IEE * se
transmite a la tensión de offset de la entrada.
La dependencia de la tensión de offset y de la tensión de alimentación positiva es más
difícil de calcular aunque se puede comprender fácilmente. Imaginemos que la tensión de offset
VOS hace que la salida diferencial sea 0 V si la alimentación positiva es +VCC,0 o, lo que es
equivalente, IC1 = IC2 = IEE * /2. A continuación, se produce un aumento de +VCC , que implicaría
que un aumento en las tensiones de colector de los transistores. Supongamos ahora que λ1 ≠ λ2.
Esta premisa y las nuevas condiciones del circuito rompen la simetría existente entre las
corrientes de colector a la tensión +VCC,0 y la tensión de salida no es nula.
La única solución es modificar VOS hasta conseguir una nueva situación de equilibrio. Pero
VOS no es sino la tensión de offset del par diferencial por lo que se deduce que existe una relación
entre esta magnitud y la tensión de alimentación positiva.
En general, el rechazo de las tensiones de alimentación está relacionado con los
coeficientes Early de los transistores bipolares y los coeficientes de modulación del canal en el
caso de los transistores JFET. Es importante reseñar un par de puntos adicionales: En primer
lugar, cuanto mayor sean los coeficientes Early menor es el valor de los coeficientes de rechazo
de las alimentaciones. Por otro lado, la influencia de las tensiones de alimentación está
relacionada con distintos pares de transistores bipolares por lo que sus valores y signos pueden
ser muy diferentes.