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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

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Efectos de la radiación sobre amplificadores operacionales de pequeña señal y potencia<br />

b) Corriente de salida negativa del amplificador OPA541A: Se vio en el tercer capítulo que<br />

los transistores de potencia son más sensibles al daño por desplazamiento que los<br />

transistores de pequeña señal. De esta manera, se justifica que la corriente de salida<br />

disminuya con mayor rapidez en los amplificadores de potencia. Así, se espera que la<br />

mayor parte de estos amplificadores muestren descensos relativos a dosis más bajas que sus<br />

equivalentes de pequeña señal. Sin embargo, hay un factor que contradice esta tónica<br />

general: La corriente en cortocircuito negativa del modelo OPA541A.<br />

La salida de este amplificador es de clase A, siendo el valor de la corriente de salida<br />

positiva proporcional a la ganancia del par Darlington. En cambio, la corriente negativa es<br />

igual a la corriente que polariza la etapa de salida en reposo. Esta corriente es del orden de<br />

varios miliamperios, tal y como se demostró en el apartado referido al consumo de<br />

corriente. Evidentemente, si se cumpliera exactamente lo marcado en tabla 4.2, el<br />

amplificador no podría absorber varios amperios de corriente. Por este motivo, el diseñador<br />

ideó el dispositivo de tal manera que la tensión de polarización de la base del par<br />

Darlington pudiese aumentar para poder absorber la corriente necesaria a través del<br />

colector.<br />

En consecuencia, la corriente de cortocircuito negativa no depende únicamente de la<br />

ganancia en corriente del transistor bipolar sino también de una tensión VB. Esta influye<br />

exponencialmente en el valor de la corriente de salida, como se deduce de (4.46). Debido a<br />

esta dependencia, el sistema podría absorber mucha corriente incluso cuando la ganancia<br />

del par hubiera disminuido enormemente.<br />

c) Comportamiento de las corrientes en amplificadores clase C: De todos los componentes<br />

examinados, los amplificadores de clase C son los más simétricos. Al comparar los valores<br />

de corriente positiva y negativa de la tabla 4.2, se observa que las expresiones son muy<br />

parecidas y que sólo se diferencian en la ganancia de los transistores. En caso de que el<br />

amplificador proporcione corriente, debe trabajar el par Darlington NPN y, en caso<br />

contrario, será el par PNP.<br />

De acuerdo con lo visto en el capítulo 3, los transistores PNP tienen una tolerancia<br />

menor que los NPN al daño por desplazamiento, ya que tienen una ganancia mucho menor.<br />

Por tanto, es previsible que la corriente en cortocircuito negativa se vea más afectada que la<br />

primera, tal y como muestra fig. 6.22.<br />

d) Corriente de salida negativa de los amplificadores PA10-PA12A: El resultado deducido<br />

para el anterior amplificador podría ser extendido al amplificador PA10 y PA12A. De esta<br />

forma, se explicaría por qué decrece a mayor velocidad la corriente de salida negativa que<br />

la positiva. Sin embargo, la evolución real es algo más compleja. De acuerdo con la<br />

hipótesis de la degradación del par PNP, el amplificador debería ser capaz de absorber<br />

corrientes muy pequeñas incluso cuando ha sido fuertemente irradiado. Sin embargo, ya se<br />

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