UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

Capítulo 6
- Par Darlington: (hFE + 1) → (hFE,1 + 1) (hFE,2 + 1)
- Falso PNP: hFE → hFE,1 hFE,2 + hFE,1 + 1
La primera expresión es intuitiva en tanto que la segunda se obtiene de (4.21). En
cualquier caso, se sigue cumpliendo que la disminución de la ganancia en corriente hFE conlleva
un descenso de la corriente en cortocircuito. En el caso de que el amplificador cuente con
protección de sobrecarga, hay que recurrir a fig. 4.28c para comprobar que la reducción de la
ganancia disminuye la corriente máxima de salida.
Asimismo, hay que resaltar que ésta no es la única causa de la reducción de la corriente en
cortocircuito, aunque es sin duda la principal. Otros factores podrían intervenir para disminuir el
valor de la corrientes en cortocircuito. P. e., en tabla 4.2 se observa que las corrientes de salida
de una etapa AB mejorada son proporcionales a los valores de ciertas fuentes de corriente IQ1 e
IQ2. En caso de que estas corrientes se vieran afectadas por la radiación, el valor de la corriente
de salida disminuiría.
Por otra parte, se demostró en ap. 4.3.8 que la corriente en cortocircuito dependía de la
tensión de alimentación si la tensión Early de los transistores no era nula. Como sabemos, la
tensión Early desciende en los transistores bipolares irradiados. Este hecho, que justificaba el
incremento de PSRR+, PSRR- y del consumo, explica también por qué la corriente depende de la
tensión de alimentación tras irradiar el amplificador.
Sin embargo, aunque los hechos anteriores permiten comprender de forma general por qué
desciende el valor de la corriente en cortocircuito, es necesario estudiar algunos puntos
interesantes.
a) Tolerancia de OPA111 y OPA606: Anteriormente, se mencionó que los amplificadores
OPA111 y OPA606 tenían una tolerancia muy alta, puesto que su valor apenas cambia ni
siquiera al alcanzar los valores máximos de radiación.
No se conoce la topología interna del amplificador OPA111 por lo que no se puede
avanzar ninguna hipótesis sobre su comportamiento. Sin embargo, la estructura del modelo
OPA606 es pública. En ella, se descubre una estructura clase AB en la que la corriente
positiva es suministrada por un par Darlington NPN y la negativa es absorbida por un falso
transistor PNP formado por un JFET de canal P y un transistor NPN. Estas topologías son
propias de los amplificadores de potencia y la corriente de salida debe limitarse para evitar
la destrucción del amplificador. Para ello, se ha colocado una resistencia en el nodo de
salida de tal manera que los valores máximos de corriente vienen marcados únicamente por
esta resistencia, inmune a la radiación, y no por las ganancias de los transistores.
Esta hipótesis se ve apoyada por un hecho bastante significativo. Al comparar los
valores de las corrientes de cortocircuito positivas y negativas de estos amplificadores (fig.
6.23a-6.24a), se observa que son simétricas respecto del eje X, tal y como era previsible al
estar la corriente máxima controlada por una resistencia.
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